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| 電子相関に起因する新規物性のMBE成長による創出 |
分子線エピタキシー（MBE）は単原子層スケールで成長構造を制御できることから、１９８０年代以降電子の波動関数を操作するこにより電気伝導あるいは光学的性質に量子効果が発現する半導体デバイスの開発に広く用いられてきました。高電子移動度トランジスター、共鳴トンネルダイオードおよび量子井戸レーザーがこのようなデバイスに含まれます。これらの電気伝導や光学的性質は、基本的に「個々の電子の挙動」に基づいた物性と言えます。
私たちの研究室では、このような従来からある研究の新しい展開として、「電子相関」に起因した物性、例えば磁性や超伝導を発現する半導体構造をMBEによる波動関数の制御により創製することを目指す研究を行っています。 |
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