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研究設備紹介

主要設備一覧

集束イオンビーム加工装置・FIB

(SIIナノテク SMI3050)

【特徴】

分解能 4 nm@30kV による高品位なSIM像を取得できます。SEMでは捕らえにくい金属・結晶粒のチャネリングコントラスト像も取得可能です。また、高分解能観察を可能とするFIBカラムでは高精度の加工も実現します。本装置は、低加速FIB加工により、試料に対するダメージを最小限にとどめた加工が可能です。TEM試料作成などに代表されるアプリケーションにおいて、大きな効果を発揮します。

集束イオンビーム加工装置・FIB(SIIナノテク SMI3050)

【仕様】

試料サイズ 最大 50 mmφ、12 mm厚
試料ステージ 5軸ユーセントリックチルトステージ
加速電圧 5 - 30 kV
2次電子分解能 4 nm@30 kV
最大電流 20 nA
最大電流密度 30 A/cm2

【設置場所】

ナノマテリアルテクノロジーセンター2階

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