6/10 マテリアルサイエンス系セミナー (物質・材料研究機構: 荒船 竜一 氏)

 

知識科学系講義棟2階 中講義室 15:30-16:15

「Silicene on Ag(111): Geometry and Electronic structure」

国立開発研究法人物質・材料研究機構
国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 独立研究者 荒船 竜一氏 

講演要旨
 With great success of graphene, novel two-dimensional honeycomb lattices have been explored.  Silicene, a honeycomb lattice of the silicon atoms [1,2], is a candidate as an innovative material because it can acquire not only the Dirac fermion characteristics but exotic properties of the topological insulator. Unlike graphene, the material corresponding to graphite does not exist for silicon in nature. Thus, silicene should be synthesized on a solid substrate. While many surface materials have been used for the substrate for silicene growth, the Ag(111) surface, which is used for the first experimental discovery of silicene[3], is the most extensively examined one for silicene research.
 In this talk, I will review the state-of-the-art, including our recent achievements [4-11], of silicene on Ag(111). I will show the the geometric and electronic structure of the single layer and multi-layer silicene on Ag(111), which are determined by using scanning tunneling microscopy/spectroscopy (STM/STS), low-energy electron diffraction (LEED), metastable atom electron spectroscopy (MAES), and supported with density functional theory (DFT) calculations.

References:
[1] K. Takeda and K. Shiraishi, Phys. Rev. B 50, 14916 (1994).
[2] S. Cahangirov et al., Phys. Rev. Lett. 102, 236804 (2009).
[3] B. Lalmi et al., Appl. Phys. Lett., 97, 223109 (2010).
[4] C. -L. Lin et al., Appl. Phys. Exp., 5, 045802 (2012).
[5] C. -L. Lin et al., Phys. Rev. Lett., 110, 076801 (2013).
[6] R. Arafune et al., Surf. Sci. 608, 197 (2013).
[7] R. Arafune et al., Phys. Rev. Lett., 110, 229701 (2013).
[8] M. Kanno et al., New J. Phys., 16, 105019 (2014).
[8] N. Takagi et al., Prog. Surf. Sci. 90, 1 (2015).
[9] K. Kawahara et al., Surf. Sci. 623, 25 (2014).
[10] K. Kalahari et al., Surf. Sci. 651, 70 (2016).
[11] C. -L. Lin et al., J. Phys. Chem. C. 120, 6689 (2016)

講演者略歴
1995年 9月 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 修士課程 短期修了
1998年 3月 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 博士課程 短期修了
      (博士(工学))
1998年 4月 科学技術振興機構 戦略的基礎研究 量子効果等の物理現象
       研究員
2001年 4月 理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
       フロンティア研究員
2005年10月  東京大学大学院 新領域創成科学研究科 産学官連携研究員
2006年10月  科学技術振興機構 さきがけ「構造機能と計測分析」研究員
2010年 4月  物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
       独立研究者

担当教員 マテリアルサイエンス系 教授 水谷 五郎(内線:1521)


2016セミナー第3回(1).pdf

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