赤堀　誠志（アカボリ　マサシ）　准教授
ナノマテリアルテクノロジーセンター

■学位

北海道大学学士（工学）(1995), 北海道大学修士（工学）(1997), 北海道大学博士（工学）(2000)

■職歴

日本学術振興会特別研究員DC1(1997.4-2000.3), 同 PD(2000.4-2002.2), 北陸先端科学技術大学院大学助手(2002.2-2007.3), 同助教(2007.4-2013.1), 日本学術振興会海外特別研究員(2007.2-2009.1), 北陸先端科学技術大学院大学准教授(2013.2-)

■専門分野

III-V族化合物半導体エピタキシャル成長、化合物半導体ナノ構造の形成・評価

■研究テーマのキーワード

化合物半導体、エピタキシャル成長、ナノ構造

■研究課題

化合物半導体エピタキシャル成長および成長技術によるナノ構造形成
分子線エピタキシャル成長（MBE）や有機金属気相成長（MOVPE）による様々な化合物半導体多層薄膜構造の成長や、これら成長技術を利用した化合物半導体立体ナノ構造（量子細線・量子ドットなど）の形成を目指している。
微細加工技術による化合物半導体ナノ構造形成
主に化合物半導体多層薄膜構造をベースとして、電子線露光など微細リソグラフィー技術や、エッチング技術・薄膜堆積技術を用いて、立体ナノ構造形成およびナノ構造を有する新しいデバイスの形成を目指している。
化合物半導体ナノ構造の物性評価
化合物半導体ナノ構造の電子物性・光学物性を評価し、将来の情報技術に応用可能な物理現象の探索およびその解明を目指している。

■研究業績

◇発表論文

Verification of electrical spin injection into InGaAs two-dimensional electron gas from CoFe electrode by four-terminal non-local geometry，S. Hidaka, T. Kondo, M. Akabori, and S. Yamada，accepted for publication in AIP Conf. Proc.
Magneto-transport properties of InAs nanowires laterally-grown by selective area molecular beam epitaxy on GaAs (110) masked substrates，M. Akabori and S. Yamada，accepted for publication in AIP Conf. Proc.
Realization of In0.75Ga0.25As two-dimensional electron gas bilayer system for spintronics devices based on Rashba spin-orbit interaction，M. Akabori, S. Hidaka, H. Iwase, S. Yamada, and U. Ekenberg，J. Appl. Phys，Vol. 112，pp. 113711-1-6，2012

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◇講演発表

GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性，赤堀誠志、山田省二，日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012).
InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴，今中康貴、高増正、韋威、森本幸作、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二，日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012).
高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系のトップゲート制御，近藤太郎、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二，日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012).

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■担当講義

ナノデバイス加工論（実習付）

■学外活動

◇所属学会

電子情報通信学会，会員，2012-
日本物理学会，会員，2003-
日本応用物理学会，会員，1996-

◇その他の国際・国内貢献等

電子情報通信学会，和文論文誌C編集委員，2012/05/26 -

■共同研究等希望テーマ

化合物半導体ナノ構造の物性評価とデバイス応用

赤堀 誠志 （アカボリ マサシ） 准教授 ナノマテリアルテクノロジーセンター

■学位

■職歴