赤堀 誠志 (AKABORI, Masashi)准教授
マテリアルサイエンス, ナノマテリアル・デバイス研究領域, 自然との共感・共生テクノロジー研究センター, ナノマテリアルテクノロジーセンター
◆学位
北海道大学学士(工学)(1995), 北海道大学修士(工学)(1997), 北海道大学博士(工学)(2000)
◆職歴
1997 - 2000 : 日本学術振興会特別研究員DC1(1997-2000), 日本学術振興会特別研究員PD(2000-2002)
1997 - 2000 : Research fellow of the Japan Society for the Promotion of Science [DC1] (1997-2000), Research fellow of the Japan Society for the Promotion of Science [PD] (2000-2002)
◆専門分野
電気電子材料工学
◆研究キーワード
ナノ構造, エピタキシャル成長, 化合物半導体
◆研究課題
微細加工技術による化合物半導体ナノ構造形成
主に化合物半導体多層薄膜構造をベースとして、電子線露光など微細リソグラフィー技術や、エッチング技術・薄膜堆積技術を用いて、立体ナノ構造形成およびナノ構造を有する新しいデバイスの形成を目指している。
化合物半導体ナノ構造の物性評価
化合物半導体ナノ構造の電子物性・光学物性を評価し、将来の情報技術に応用可能な物理現象の探索およびその解明を目指している。
化合物半導体エピタキシャル成長および成長技術によるナノ構造形成
分子線エピタキシャル成長(MBE)や有機金属気相成長(MOVPE)による様々な化合物半導体多層薄膜構造の成長や、これら成長技術を利用した化合物半導体立体ナノ構造(量子細線・量子ドットなど)の形成を目指している。

■研究業績

◆発表論文
Promotion of the structural repair of graphene oxide thin films by thermal annealing in water-ethanol vapor
Ryota Negishi, Takuya Nakagiri, Masashi Akabori, Yoshihiro Kobayashi
Thin Solid Films, 775, 139841-139841, 2023
Tailoring Magnetic Domains and Magnetization Switching in CoFe Nanolayer Patterns with Their Thickness and Aspect Ratio on GaAs (001) Substrate
Keigo Teramoto, Ryoma Horiguchi, Wei Dai, Yusuke Adachi, Masashi Akabori, Shinjiro Hara
physica status solidi (b), 2100519-2100519, 2022
Room-temperature negative magnetoresistance of helium-ion-irradiated defective graphene in the strong Anderson localization regime
Takuya Iwasaki, Shu Nakamura, Osazuwa G. Agbonlahor, Manoharan Muruganathan, Masashi Akabori, Yoshifumi Morita, Satoshi Moriyama, Shinichi Ogawa, Yutaka Wakayama, Hiroshi Mizuta, Shu Nakaharai
Carbon, 175, 87-92, 2021
One-pot synthesis of manganese oxide/graphene composites via a plasma-enhanced electrochemical exfoliation process for supercapacitors
Minh Nhat Dang, Thanh Hai Nguyen, To Van Nguyen, Tran Viet Thu, Hoang Le, Masashi Akabori, Nobuaki Ito, Hai Yen Nguyen, Trong Lu Le, Tuan Hong Nguyen, Van Thao Nguyen, Ngoc Hong Phan
Nanotechnology, 31, 34, 345401-345401, 2020
Epitaxial growth and characterization of Cr-doped ZnSnAs2 thin films on InP substrates
Hiroto Oomae, Kai Sato, Miyuki Shinoda, M. I. Faris bin Ishak, Hideyuki Toyota, Masashi Akabori, Hidetoshi Kizaki, Shinichi Nakamura, Joel T. Asubar, Naotaka Uchitomi
Japanese Journal of Applied Physics, 59, 3, 030601-030601, 2020
◆Misc
Turbostratic Stacking Effect in Multilayer Graphene on the Electrical Transport Properties
Ryota Negishi, Chaopeng Wei, Yao Yao, Yui Ogawa, Masashi Akabori, Yasushi Kanai, Kazuhiko Matsumoto, Yoshitaka Taniyasu, Yoshihiro Kobayashi
physica status solidi (b), 257, 2, 1900437-1900437, 2020
Aspect Ratio Dependence of Magnetization Switching in CoFe Nanolayers Patterned on GaAs (001) Substrates
R. Horiguchi, K. Teramoto, Y. Adachi, M. Akabori, S. Hara
Collected Abstract of the 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII), Sendai, Japan, November 27-30, 2019, WP2-20., 53-54, 2019
Thickness and Aspect Ratio Dependences of Magnetic Domain Structures in Patterned CoFe Thin Films on GaAs (001) Substrates
K. Teramoto, R. Horiguchi, Y. Adachi, M. Akabori, S. Hara
Collected Abstract of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019), Nagoya, Japan, September 2-5, 2019, PS-8-20., 1-2, 2019
STEMモアレフリンジ法によるInP/InGaAs界面歪み分布計測
陳桐民, 大島義文, 赤堀誠志
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 66th, -, 2019
STEM Moire法によるInP/InGaAs/InP構造の歪みと組成分布の評価
CHEN T, 赤堀誠志, 大島義文
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 80th, -, 2019
◆講演・口頭発表
Sheet Electron Density Dependence of Electron Mobility Anisotropy in In0.75Ga0.25As/InP Two-Dimensional Electron Gas
2016 Compound Semiconductor Week, MoP-ISCS-060, Toyama, Japan, June 26-30 (2016)., 2016
Subband transport and quantum Hall effect in InGaAs/InAlAs 2DEG bilayer with surface inversion layer
9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids, P1-24, Kobe, Japan, August 8-11 (2016)., 2016
Measurement of resonant spin Hall effect in InGaAs 2DEG bilayer system
9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids, P2-13, Kobe, Japan, August 8-11 (2016)., 2016
GaAs barrier insertion into MnAs/InAs hybrid heterostructures on GaAs(111)B for lateral spin valve device application
第77回応用物理学会学術講演会、13p-P8-41、新潟、9/13-16 (2016)., 2016
Selective area growth of well-ordered ZnO nanowires on (111) oriented masked substrates by electrochemical method
第77回応用物理学会学術講演会、15a-P9-6、新潟、9/13-16 (2016)., 2016

■担当講義

Solid State Physics Ⅱ, Fabrication of Nano-Devices with Training Course, 固体物理学特論Ⅱ, ナノデバイス加工論(実習付)

■学外活動

◆所属学会
日本応用物理学会, 日本物理学会, Japan Applied Physics Society, The Physical Society of Japan, 電子情報通信学会
◆学術貢献活動
会員 , 日本応用物理学会
会員 , 日本物理学会
Member , Japan Applied Physics Society