北陸先端科学技術大学院大学 [JAIST] - 研究者総覧
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研究者紹介

研究室
マテリアル研究棟MS Building I 7F
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大平 圭介 (オオダイラ ケイスケ) 教授
マテリアルサイエンス系、環境・エネルギー領域

■学位

東京大学工学士(1998), 東京大学修士(工学)(2000),東京大学博士(工学)(2004)

■職歴

東北大学金属材料研究所COEフェロー(2004-2005),東北大学金属材料研究所産学官連携研究員(2005), 北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科助教(2005-2011), 独立行政法人 科学技術振興機構 さきがけ研究 兼任研究者 (2009-2013),

■専門分野

太陽電池、半導体工学

■研究テーマのキーワード

太陽電池 多結晶シリコン薄膜 触媒化学気相堆積

■研究課題

フラッシュランプ熱処理による高品質多結晶シリコン薄膜の形成とその太陽電池応用 
触媒化学気相堆積(Cat-CVD)法でガラス基板上に形成したa-Siに対し、ミリ秒の熱処理であるフラッシュランプアニールを施すことにより、太陽電池用高品質多結晶シリコン薄膜を形成し、それを用いた太陽電池の作製の検討を行っています。

触媒化学気相堆積の結晶Si太陽電池作製プロセスへの応用
触媒化学気相堆積(Cat-CVD)法は、加熱触媒体線上で原料ガス分子を接触分解反応により分解し、製膜を行う薄膜堆積法です。プラズマ損傷の無い製膜が可能であり、良好な薄膜/結晶Si界面の形成が期待できます。当研究室では、Cat-CVD法を用いた結晶Si表面のパッシベーション技術の開発に取り組んでいます。また、Cat-CVD装置を用いた新規ドーピング技術の開発にも挑戦しています。
n型結晶Si太陽電池モジュールの電圧誘起劣化
大規模太陽光発電所において、モジュールのフレーム-セル間の高電位差に起因して特性が劣化する電圧誘起劣化(potential-induced degradation: PID)が問題となっています。当研究室では、特に、高効率で今後普及が予想されるn型結晶Si太陽電池モジュールについて、PIDのメカニズム解明と抑止技術の開発を行っています。

■研究業績

◇著書

  • "太陽光と光電変換機能―異分野融合から生まれる次世代太陽電池―" 第1章 3. 瞬間結晶化によるガラス基板上への多結晶Si薄膜形成,大平 圭介,CMC出版,2016
  • Subsecond Annealing of Advanced Materials, Chapter 10, Formation of High-Quality オm-Order-Thick Poly-Si Films on Glass-Substrates by Flash Lamp Annealing,Keisuke Ohdaira,Springer,2014,pp. 173-188
  • Crystal Growth of Si for Solar Cells, Chapter 11, "Thin Film Poly-Si Formed by Flash Lamp Annealing",Keisuke Ohdaira,Springer,2009,pp. 177-191

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◇発表論文

  • Vacuum deposition of CsPbI3 layers on textured Si for perovskite/Si tandem solar cells,K. Hamada, K. Yonezawa, K. Yamamoto, T. Taima, S. Hayase, N. Ooyagi, Y. Yamamoto, and K. Ohdaira,Jpn. J. Appl. Phys. (in press),2019
  • Crystallization of electron-beam evaporated a-Si films on textured glass substrates by flash lamp annealing,K. Kurata and K. Ohdaira,Jpn. J. Appl. Phys. (in press),2019
  • Barrier properties of electroplating nickel layer for copper metallization in silicon solar cells,Y. R. Cheng, W. J. Chen, K. Ohdaira and K. Higashimine,Int. J. Electrochem. Sci.,13,11516-11525,2018

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◇講演発表

  • Formation of counter-doped n-a-Si films with good passivation quality by plasma ion implantation,Huynh Thi Cam Tu, N. Yamaguchi, H. Suzuki, K. Ohdaira, and H. Matsumura,The 7th Korea-Japan Joint Seminar on PV,Seoul, Korea,2018年11月16-17日
  • Extremely low surface recombination velocity of 0.6 cm/s obtained on textured crystalline silicon prepared by microparticle-assisted texturing (MPAT) process for solar cells,Cong Thanh Nguyen, Huynh Thi Cam Tu, K. Ohdaira, and H. Matsumura,The 8th Korea-Japan Joint Seminar on PV,Seoul, Korea,2018年11月16-18日
  • Passivation of crystalline silicon surfaces with ultra-thin silicon nitride films formed by catalytic chemical vapor deposition,H. Song and K. Ohdaira,35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition,Brussels, Belgium,2018年9月24-28日

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■担当講義

先端デバイス特論(E),固体電子物性・デバイス特論(E)

■学外活動

◇所属学会

  • SAYURI-PV,Program Committee,2016-
  • International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),Chair (Area 15),2016-2017
  • 応用物理学会北陸・信越支部,庶務幹事,2016-2017

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◇その他の国際・国内貢献等

  • PVJapan 2018,研究活動の展示、および大学の宣伝活動を行った。,2018/06/20 - 2018/06/22
  • PVJapan 2017,ブース展示を行い、研究成果の公表、大学に関する情報発信を行った。,2017/07/05 - 2017/07/07
  • 石川県立工業のSPH事業,同校で行っているSPH事業に関し、ゼミナール活動、プロジェクト活動のサポートを継続的に行っている。また、出張講義を行った。,2015/10/01 - 2016/09/30

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■賞等

  • PVSEC-27 Best Paper Award,PVSEC-27 Technical Program Committee,2017
  • 第22回(2007年春季)応用物理学会講演奨励賞,応用物理学会,2007