北陸先端科学技術大学院大学 [JAIST] - 研究者総覧
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研究者紹介

研究室
マテリアル研究棟MS Building IV 6F
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Japanese

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FLEURENCE, Antoine (フロランス アントワーヌ) 助教
マテリアルサイエンス系、応用物理学領域

■学位

M.S from University Paris-Sud(2004), Ph.D from University Paris-Sud(2007)

■職歴

Temporary associate of teaching and research at University Paris-Sud(2007), Invited young researcher at University of Bialystok(2008), Researcher at JAIST(2009), JSPS Postdoctoral fellow(2011)

■研究テーマのキーワード

Growth of inorganic thin films, Surface Science, 2D materials

■研究業績

◇著書

  • Epitaxial silicene : Beyond silicene on silver substrates in Silicene : Structures, Properties, and Applications,A Fleurence,Springer,2015,243

◇発表論文

  • Single-domain epitaxial silicene on diboride thin films,A. Fleurence, T. G. Gill, R. Friedlein, J.T. Sadowski, K. Aoyagi, M. Copel, R. M. Tromp, C.F . Hirjibehedin, and Y. Yamada-Takamura,Applied Physics Letters,108,15,151902-1,151902-4,12 April 2016
  • Single-particle excitation of core states in epitaxial silicene,C.-C. Lee, J. Yoshinobu, K. Mukai, S. Yoshimoto, H. Ueda, R. Friedlein, A. Fleurence, Y. Yamada-Takamura, and T. Ozaki,Physical Review B 95, 115437 (2017).
  • Insights into the spontaneous formation of silicene sheet on diboride thin films,A. Fleurence and Y. Yamada-Takamura,Applied Physics Letters 110, 041601 (2017).

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◇講演発表

  • Epitaxial silicene on ZrB2(0001): a graphene-like form of silicon,Antoine Fleurence,IUVSTA 73,Eisenertz, Austria,2014.09.25
  • Silicene on siicon through a ZrB2(0001) buffer layer,A. FLeurence,Seminar at the Institute for Solid State Physics, University of Tokyo,Kashiwa, Chiba,2011.06.22
  • Atomistic study of GaSe/Ge(111) interface formed through van der Waals epitaxy (poster presentation),T. Yonezawa, T. Murakami, K. Higashimine, A. Fleurence, Y. Oshima, and Y. Yamada-Takamura,Atomic Level Characterization (ALC) '17,Kauai, U.S.A.,2017.12.05

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