北陸先端科学技術大学院大学 [JAIST] - 研究者総覧
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産学官連携総合推進センター Industrial Collaboration Promotion Center 3F
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松村 英樹 (マツムラ ヒデキ) 特任教授

■学位

電気通信大学工学士 (1970),東京工業大学工学修士 (1972),東京工業大学工学博士 (1975)

■職歴

英国サリー大学電気電子工学科研究員 (1975),東京工業大学大学院総合理工学研究科助手 (1977),広島大学工学部助教授 (1983)

■専門分野

電子デバイス工学、薄膜工学

■研究テーマのキーワード

触媒気相化学堆積(Cat-CVD)法、ディスプレイ技術(超微細Siチップ画素制御による超大画面ディスプレイ)

■研究課題

「Cat-CVD 法」による半導体および絶縁体薄膜の堆積
加熱触媒体に原料ガスを吹き付けるだけで高品質な薄膜が低温で堆積できる「Cat-CVD 法」と名付けた新しい方法を提案している。これにより,アモルファス・シリコン,ポリ・シリコン,シリコン・ナイトライドなどを堆積し,その特性を調べている。特に,ポリ・シリコンは液晶ディスプレイ用の薄膜トランジスタの材料として,また,シリコン・ナイトライドは化合物半導体デバイスの表面保護膜材料として有望なことを示している。

金属 / 絶縁体のみを用いた次世代超LSIの研究
半導体集積回路の微細化限界を超える一方策として,半導体を全く用いず,金属とその金属を酸化して得られる金属酸化物絶縁体のトンネル接合を用いる新原理のトランジスタを提案し,現在,その試作に成功している。これにより,半導体集積回路のメモリー容量で表現して,約1000倍以上の集積度の向上が一挙に図られるものと期待している。
新発電原理に基づく超高効率太陽電池の開発
半導体太陽電池の内部に,ある限定された性質の不純物を導入することで太陽電池のエネルギー変換効率が飛躍的に向上できることを理論的に見いだし,現在,実験的にその検証を行った。

■研究業績

◇著書

  • 高機能デバイス封止技術と先端材料(高橋昭雄・監修、シーエムシー出版)「Cat-CVD (Hot Wire CVD)法による有機EL封止」,松村英樹,2009年8月31日初版,170-181
  • 薄膜シリコン系太陽電池の最新技術(太和田義久、岡本博明・監修、シーエムシー出版)「Cat-CVD法(Hot Wire CVD法)を用いた薄膜シリコン系太陽電池の開発」,松村英樹、大平圭介,2009年7月24日初版,56-67
  • 触媒CVD(Cat-CVD)の新展開 -ラジカルを用いる新プロセス技術- 総論 -Cat-CVD法の誕生、期待とその課題-,松村英樹,シーエムシー出版,2008,1-11

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◇発表論文

  • 触媒化学気相堆積(Cat-CVD)法による太陽電池用高品質パッシベーション膜の形成,大平 圭介、Trinh Cham Thi、及川貴史、瀬戸純一、小山晃一、松村英樹,表面科学,38,pp. 234-239,2017
  • Passivation of textured crystalline silicon surfaces by Cat-CVD silicon nitride films and catalytic phosphorus doping,K. Ohdaira, Trinh Thi Cham, and H. Matsumura,Jpn. J. Appl. Phys.,56,102301-1-4,2017
  • Catalytic phosphorus and boron doping to amorphous silicon films,K. Ohdaira, J. Seto, and H. Matsumura,Jpn. J. Appl. Phys.,56,08MB06-1-5,2017

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◇講演発表

  • Application of Cat-CVD technology to crystalline silicon solar cells,K. Ohdaira, Trinh Thi Cham, T. Oikawa, J. Seto, K. Koyama, and H. Matsumura,SCEJ 82nd Annual Meeting,Shibaura Institute of Technology,March 6-8, 2017
  • a-Si へのCatドーピングのパッシベーション能力への影響,大平 圭介、瀬戸 純一、松村 英樹,第13回Cat-CVD研究会,北見工業大学,2016年7月8-9日
  • Cat-CVD Silicon Nitride Films and Catalytic Impurity Doping for Application to Silicon-Based Solar Cells,Keisuke Ohdaira, Trinh Thi Cham, Koichi Koyama, Junichi Seto, Hideki Matsumura,9th International Confenrence on Hot Wire (Cat) and Initiated Chemical Vapor Deposition,Philadelphia, USA,2016年9月6-9日

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■担当講義

デバイス物理特論,ナノ情報通信材料論

■学外活動

◇所属学会

  • 応用物理学会,評議員,2008-2011
  • 応用物理学会,2002-

◇国際会議主催状況

  • アモルファス半導体国際会議,Jul. 2011,奈良市
  • 6th International Conference on Hot Wire CVD (Cat-CVD) Process,Sep 13-18, 2010,Ecole Polytechnique, Amphitheater Pierre Faure, Palaiseau (near Paris), France
  • 1st International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process,Hideki Matsumura,2000/11/14,Kanazawa, Japan

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◇その他の国際・国内貢献等

  • 岐阜大学太陽光発電センター,外部評価委員
  • 薄膜太陽電池セミナー,組織委員
  • 第3回Cat-CVD研究会(長岡市)、実行委員会実行委員

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■賞等

  • 第4回パテント・コンテスト、エクイップメント・テクノロジー部門、パテント・オブ・ザ・イヤー2007,東京工業大学精密工学研究所
  • 第4回パテント・コンテスト、エクイップメント・テクノロジー部門、パテント・オブ・ザ・イヤー2007,東京工業大学精密工学研究所
  • 産学官連携功労者表彰 日本経済団体連合会会長賞,産学官連携推進会議,2007

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■共同研究等希望テーマ

  • 薄膜堆積技術に関する研究