北陸先端科学技術大学院大学 [JAIST] - 研究者総覧
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赤堀 誠志 (アカボリ マサシ) 准教授
マテリアルサイエンス系、応用物理学領域

125件中21-40件目

  • 21. Nitrogen and helium gas field ion source for nanofabrication,M. E. Schmidt, K. Nagahara, O. Takechi, M. Akabori, A. Yasaka, T. Shimoda and M. Mizuta, AVS 62nd International Symposium & Exhibition 2015, San Jose, California, USA, October 18-23 (2015).
  • 22. 高In組成InGaAs2次元電子ガスにおけるスピンバルブ特性の結晶方位依存性,添田幸伸、日高志郎、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会第71回年次大会、21aAG-6、仙台(2016).
  • 23. 表面反転層高In組成2次元電子ガス2層系のサブバンド構造と量子ホール効果,添田幸伸、赤堀誠志、藤元章、山田省二、今中康貴、竹端寛治,日本物理学会第71回年次大会、21aAG-5、仙台(2016).
  • 24. InGaAs 2次元電子ガス2層系における共鳴スピンホール効果測定,山田省二、藤元章、添田幸伸、赤堀誠志,日本物理学会第71回年次大会、21aAG-4、仙台(2016).
  • 25. 酸化グラフェンからの高結晶性グラフェン薄膜におけるバンド伝導の起源,根岸良太、伊藤孝寛、仲武昌史、赤堀誠志、渡辺義夫、小林慶裕,第63回応用物理学会春季学術講演会、21a-S011-10、東京(2016).
  • 26. Magnetic properties and lateral spin-valve device application of MnAs/InAs/GaAs(111)B,Md. E. Islam, M.,第63回応用物理学会春季学術講演会、19p-P1-53、東京(2016).
  • 27. MnAs/InAsへテロ構造を用いた横型スピンバルブ素子の試作,イスラム ヤールル、赤堀誠志,平成27年度応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会、B14、長野、12/12 (2015).
  • 28. Characterization of Spin-Orbit Coupling in Gated Wire Structures Using In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As Inverted Heterojunctions,(Invited) T. Ohori, M. Akabori, S. Hidaka, and S. Yamada,2nd International Symposium on Frontiers in Materials Science, R3-3-3, Tokyo, Japan, November 19-21 (2015).
  • 29. In-Plane Transport Properties of MnAs/InAs/ GaAs(111)B Grown by Molecular Beam Epitaxy,Md. E. Islam, C. T. Nguyen, M. Akabori,2nd International Symposium on Frontiers in Materials Science, P3-26, Tokyo, Japan, November 19-21 (2015).
  • 30. Top-down fabrication and electrical characterization of In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As quantum nanostructures,M. Akabori, T. Ohori, S. Hidaka, S. Yamada, and A. Yasaka,International Symposium on Nano - Materials, Technology and Applications, Hanoi, Vietnam, October 15-17, (2014).
  • 31. In-plane oriented InAs nanowire field-effect transistors formed by combination of selective area molecular beam epitaxy and wet-etch thinning process,C. T. Nguyen and M. Akabori,2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, Kanazawa, Japan, July 1-3 (2014)
  • 32. In0.75Ga0.25As quantum point contact structures fabricated by novel N2 focused ion beam,M. Akabori, S. Hidaka, S. Yamada, T. Kozakai, O. Matsuda, A. Yasaka,2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, Kanazawa, Japan, July 1-3 (2014)
  • 33. 中心にInAlAs障壁層をもつInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送,胡ガイ、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会第70回年次大会、東京(2015)
  • 34. Molecular beam epitaxial growth of MnAs/ InAs/GaAs(111)B heterostructure,C. T. Nguyen, Md. E. Islam, M. Akabori,第62回応用物理学会春季学術講演会、相模原(2015)
  • 35. 水素インターカレショによるグラフェナノリボンFETへのSiO2基板の影響の除去,岩崎拓哉、スン・ジアン、兼竹望、筑葉拓生、赤堀誠志、ムルガナタン・マノハラン、水田博,第62回応用物理学会春季学術講演会、相模原(2015)
  • 36. メタモルフィックInGaAs/InAlAsヘテロ接合を用いた細線構造における電子輸送のゲート制御,大堀高寛、赤堀誠志、山田省二,平成26年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会、富山(2014)
  • 37. 面内配向InAsナノワイヤのウェットエッチ狭窄,グエン・コン・タン、赤堀誠志,平成26年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会、富山(2014)
  • 38. Band-like transport in reduced graphene oxide films,R. Negishi, M. Akabori, S. Yamada, T. Ito, Y. Watanabe, Y. Kobayashi,the 48th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium, Tokyo, Japan, February 21-23 (2015)
  • 39. 高In組成メタモルフィックInGaAs/InAlAsヘテロ接合を用いたゲート付細線構造の評価,大堀高寛、赤堀誠志、日高志郎、山田省二,日本物理学会第70回年次大会、東京(2015)
  • 40. 電界電離型ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置により試作したInGaAs量子ポイントコンタクトの評価,赤堀誠志、日高志郎、山田省二、小堺智一、松田修,八坂行人,日本物理学会第69回年次大会、相模原(2014)

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