北陸先端科学技術大学院大学 [JAIST] - 研究者総覧
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赤堀 誠志 (アカボリ マサシ) 准教授
マテリアルサイエンス系、応用物理学領域

125件中21-40件目

  • 21. 半導体スピントロニクスに向けたInAsナノワイヤの作製と電気的評価,赤堀誠志,応用物理学会 北陸・信越支部 若手研究者サマーセミナー合宿勉強会と研究討論会、O5、飯山、8/31-9/1 (2015).
  • 22. In組成〜75%のInGaAs/InAlAs逆ヘテロ接合を用いたゲート付細線構造の作製と電気的特性,大堀高寛、赤堀誠志、日高志郎、山田省二,応用物理学会 北陸・信越支部 若手研究者サマーセミナー合宿勉強会と研究討論会、P1、飯山、8/31-9/1 (2015).
  • 23. In-plane electrical properties of MnAs/InAs/ GaAs(111)B heterostructures,Md. E. Islam, C. T. Nguyen, M. Akabori,電子情報通信学会技術研究報告、ED2015-43、金沢、7/24-25 (2015).
  • 24. Cyclotron resonance in InGaAs Rashba bilayer systems,Y. Imanaka, K. Takehana, S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, and S. Yamada, 21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Th-PE-7, Sendai, Japan, July 26-31 (2015).
  • 25. Subband transport in two-dimensional electron gas bilayer system in narrow In0.75Ga0.25As well with center In0.75Al0.25As barrier,K. Hu, S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, and S. Yamada,21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Tu-PE-18, Sendai, Japan, July 26-31 (2015).
  • 26. Fabrication and characterization of gated parallel wire structures having a metamorphic InGaAs/InAlAs heterojunction with high In content,T. Ohori, M. Akabori, S. Hidaka, and S. Yamada,21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Tu-PE-14, Sendai, Japan, July 26-31 (2015).
  • 27. Traces of fractional quantum Hall plateaus in asymmetric two-dimensional electron gas bilayer system in wide In0.75Ga0.25As well,S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada, Y. Imanaka, and K. Takehana,21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Mo-PE-22, Sendai, Japan, July 26-31 (2015).
  • 28. In(Ga)As系2DEG・ナノワイヤにおける伝導電子のスピン物性,(招待講演) 赤堀誠志,応用物理学会応用電子物性分科会研究例会、東京(2015)
  • 29. Contact properties of MnAs/InAs grown on GaAs(111)B by molecular beam epitaxy,Md. E. Islam, C. T. Nguyen, M. Akabori,the 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, Niigata, Japan, June 16-19 (2015)
  • 30. Band-like transport in reduced graphene oxide films,R. Negishi, M. Akabori, S. Yamada, T. Ito, Y. Watanabe, Y. Kobayashi,the 48th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium, Tokyo, Japan, February 21-23 (2015)
  • 31. 面内配向InAsナノワイヤのウェットエッチ狭窄,グエン・コン・タン、赤堀誠志,平成26年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会、富山(2014)
  • 32. メタモルフィックInGaAs/InAlAsヘテロ接合を用いた細線構造における電子輸送のゲート制御,大堀高寛、赤堀誠志、山田省二,平成26年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会、富山(2014)
  • 33. In0.75Ga0.25As quantum point contact structures fabricated by novel N2 focused ion beam,M. Akabori, S. Hidaka, S. Yamada, T. Kozakai, O. Matsuda, A. Yasaka,2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, Kanazawa, Japan, July 1-3 (2014)
  • 34. Molecular beam epitaxial growth of MnAs/ InAs/GaAs(111)B heterostructure,C. T. Nguyen, Md. E. Islam, M. Akabori,第62回応用物理学会春季学術講演会、相模原(2015)
  • 35. Top-down fabrication and electrical characterization of In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As quantum nanostructures,M. Akabori, T. Ohori, S. Hidaka, S. Yamada, and A. Yasaka,International Symposium on Nano - Materials, Technology and Applications, Hanoi, Vietnam, October 15-17, (2014).
  • 36. 中心にInAlAs障壁層をもつInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送,胡ガイ、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会第70回年次大会、東京(2015)
  • 37. 高In組成メタモルフィックInGaAs/InAlAsヘテロ接合を用いたゲート付細線構造の評価,大堀高寛、赤堀誠志、日高志郎、山田省二,日本物理学会第70回年次大会、東京(2015)
  • 38. 水素インターカレショによるグラフェナノリボンFETへのSiO2基板の影響の除去,岩崎拓哉、スン・ジアン、兼竹望、筑葉拓生、赤堀誠志、ムルガナタン・マノハラン、水田博,第62回応用物理学会春季学術講演会、相模原(2015)
  • 39. In-plane oriented InAs nanowire field-effect transistors formed by combination of selective area molecular beam epitaxy and wet-etch thinning process,C. T. Nguyen and M. Akabori,2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, Kanazawa, Japan, July 1-3 (2014)
  • 40. 領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(211)Bマスク基板上への面内配向InAsナノワイヤの形成,赤堀誠志、村上達也、山田省二,第74回応用物理学会学術講演会、京田辺(2013).

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