北陸先端科学技術大学院大学 [JAIST] - 研究者総覧
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赤堀 誠志 (アカボリ マサシ) 准教授
マテリアルサイエンス系、応用物理学領域

125件中41-60件目

  • 41. 領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(211)Bマスク基板上への面内配向InAsナノワイヤの形成,赤堀誠志、村上達也、山田省二,第74回応用物理学会学術講演会、京田辺(2013).
  • 42. エタノール気相化学成長法により還元・構造修復させた酸化グラフェン薄膜のバンドライク伝導,根岸良太、赤堀誠志、村上達也、山田省二、小林慶裕,第61回応用物理学会春季学術講演会、相模原(2014)
  • 43. InGaAs 2次元電子ガス2層系における量子ホール効果,石田晋一、胡ガイ、張儲君、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二、今中康貴、高増正,日本物理学会第69回年次大会、相模原(2014)
  • 44. 新構造InGaAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送解析,胡ガイ、張儲君、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会第69回年次大会、相模原(2014)
  • 45. In-plane oriented InAs nanowire formation by selsctive area molecular beam epitaxy on GaAs (211)B substrates,M. Akabori, T. Murakami, and S. Yamada,the 16th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Wroclaw, Poland, July 1-5 (2013).
  • 46. 電界電離型ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置により試作したInGaAs量子ポイントコンタクトの評価,赤堀誠志、日高志郎、山田省二、小堺智一、松田修,八坂行人,日本物理学会第69回年次大会、相模原(2014)
  • 47. GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価,赤堀誠志、村上達也、山田省二,電子情報通信学会技術研究報告、富山(2013).
  • 48. InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴II,今中康貴、竹端寛治、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会第69回年次大会、相模原(2014)
  • 49. GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性,赤堀誠志、山田省二,日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012).
  • 50. InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴,今中康貴、高増正、韋威、森本幸作、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012).
  • 51. 高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系のトップゲート制御,近藤太郎、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012).
  • 52. Rashba型スピン軌道相互作用を示す2次元電子ガス2層系における整数量子ホール効果,赤堀誠志、近藤太郎、日高志郎、岩瀬比宇麻、山田省二、今中康貴、高増正,日本物理学会第68回年次大会、東広島(2013).
  • 53. 高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送特性,近藤太郎、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会第68回年次大会、東広島(2013).
  • 54. Low temperature anisotropic transport and related structure analysis in InGaAs two-dimensional electron gas bilayer system,W. Wei, S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada, H. Hirayama, and Y. Suzuki,the 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Nara Japan, September 23-28 (2012).
  • 55. Anomalous cyclotron resonance in InGaAs/InAlAs Rashba systems,Y. Imanaka, T. Takamasu, S. Nitta, M. Akabori, and S. Yamada,the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29-August 3 (2012).
  • 56. Control of InGaAs two-dimensional electron gas bilayer system for new type Rashba spintronics devices,M. Akabori, H. Nakano, S. Hidaka, H. Iwase, and S. Yamada,the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29-August 3 (2012).
  • 57. Magneto-transport properties of InAs nanowires laterally-grown by selective area molecular beam epitaxy on GaAs (110) masked substrates,M. Akabori and S. Yamada,the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29-August 3 (2012).
  • 58. Verification of electrical spin injection into InGaAs two-dimensional electron gas from CoFe electrode by four-terminal non-local geometry,S. Hidaka, T. Kondo, M. Akabori, and S. Yamada,the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29-August 3 (2012).
  • 59. Electron mobility anisotropy in InAs/GaAs(001,S. P. Le, M. Akabori, and T. Suzuki,the 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Nara Japan, September 23-28 (2012).
  • 60. 強磁性電極/高In組成InGaAs-2次元電子系接合における非局所スピン注入のゲート電圧依存性,日高志郎、近藤太郎、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012).

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