松村　英樹 （マツムラ　ヒデキ）　教授
マテリアルサイエンス研究科（マテリアルサイエンス専攻・物性解析・デバイス領域）

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• 41.　Cat-CVD SiNx/a-Si積層膜のSi(111)面に対するパッシベーション効果，加藤和也、小山晃一、大平圭介、松村英樹，2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会，予稿発行のみ，2011年3月9日
• 42.　フラッシュランプアニールによる非晶質シリコン膜の結晶化とその太陽電池応用，大平圭介、松村英樹，2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会，予稿発行のみ，2011年3月9日
• 43.　Formation of high-quality poly-Si films by flash lamp annealing，K. Ohdaira and H. Matsumura，International topical workshop on Subsecond thermal processing of Advanced Materials (subtherm-2011)，Dresden, Germany，October 25-27, 2011
• 44.　Flash-Lamp-Induced Explosive Crystallization of Amorphous Films Leaving Behind Periodic Microstructures，Keisuke Ohdaira and Hideki Matsumura，2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)，Nagoya, Japan，September 28-30, 2011
• 45.　Cat-CVD SiON系バリア膜のGIG型磁気センサへの応用，浅野正克，蟹江三次，大平圭介，長田誠一，松村英樹，2011年秋季　第72回応用物理学会学術講演会，山形大学，2011年8月29日〜9月2日
• 46.　Cat-CVDガスバリア膜のバリア性への基板凹凸の影響，渡部五常，大平圭介，松村英樹，2011年秋季　第72回応用物理学会学術講演会，山形大学，2011年8月29日〜9月2日
• 47.　FLAにより形成したpoly-Si膜を用いた太陽電池のSuns-VOCによる評価，澤田恵佑，石井翔平，渡村尚仁，大平圭介，松村英樹，2011年秋季　第72回応用物理学会学術講演会，山形大学，2011年8月29日〜9月2日
• 48.　フォトレジストマスキング法のラジカルドーピングへの適用の試み，早川太朗，中島裕貴，小山晃一，大平圭介，松村英樹，2011年秋季　第72回応用物理学会学術講演会，山形大学，2011年8月29日〜9月2日
• 49.　ラジカルを用いて低温ドーピングを行った結晶Siの表面観察，中島裕貴，早川太朗，小山晃一，大平圭介，松村英樹，2011年秋季　第72回応用物理学会学術講演会，山形大学，2011年8月29日〜9月2日
• 50.　Cat-CVD法によるSiNx/a-Si積層膜がc-Siに対し 高パッシベーション特性を有する原因の究明，小山晃一，東嶺孝一，加藤和也，大平圭介，大塚信雄，松村英樹，2011年秋季　第72回応用物理学会学術講演会，山形大学，2011年8月29日〜9月2日
• 51.　Cat-CVD法で製膜されたa-Si/c-Si界面の走査透過電子顕微鏡観察，東嶺孝一，小山晃一，加藤和也，大平圭介，松村英樹，大塚信雄，2011年秋季　第72回応用物理学会学術講演会，山形大学，2011年8月29日〜9月2日
• 52.　Cat-CVD SiNx/a-Si/c-Si積層パッシベーションのSi基板面方位依存性，加藤和也，小山晃一，大平圭介，松村英樹，2011年秋季　第72回応用物理学会学術講演会，山形大学，2011年8月29日〜9月2日
• 53.　Cat-CVD法など新手法による太陽電池の高効率化，松村英樹，小山晃一，東嶺孝一，大塚信雄，2011年秋季　第72回応用物理学会学術講演会，山形大学，2011年8月29日〜9月2日
• 54.　Impact of Glass Substrates on the Properties of Solar Cells Fabricated Using Flash-Lamp-Crystallized Polycrystalline Silicon Films，K. Ohdaira, S. Ishii, N. Tomura, and H. Matsumura，The 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (26th EU PVSEC)，Hamburg, Germany，5-9 September 2011
• 55.　Extremely Low Surface Recombination Velocities Realized by Cat-CVD SiNx/a-Si Staked Films on (100) and (111) Crystalline Si Substrates，K. Koyama, K. Kato, K. Ohdaira, and H. Matsumura，The 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (26th EU PVSEC)，Hamburg, Germany，5-9 September 2011
• 56.　MAT-FPDへの応用を目指した有機基板への微細Siチップ埋め込み技術，八木 貴寛, 陸井 秀晃, Nguyen Thi Thanh Kieu, 大平 圭介, 松村 英樹，平成23年度 応用物理学会北陸・信越支部 学術講演会，金沢，2011年11月18-19日
• 57.　Cat-CVD法とN2プラズマを用いたガスバリア膜の作製，渡部 五常, 大平 圭介, 松村 英樹，平成23年度 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会，金沢，2011年11月18-19日
• 58.　Investigation of the passivation property of SiNx/Si-rich SiNx stacked layers on crystalline silicon wafers，Trinh Cham Thi、小山晃一、大平圭介、松村英樹，第8回Cat-CVD研究会，金沢工業大学，2011年6月17日〜18日
• 59.　Effect of H atoms generated by Cat-CVD system on silver nanoparticle growth*，Nguyen Kieu Thi Thanh、大平圭介、松村英樹，第8回Cat-CVD研究会，金沢工業大学，2011年6月17日〜18日
• 60.　Cat-CVDを用いたガスバリア膜における基板凹凸の影響，渡部五常、大平圭介、松村英樹，第8回Cat-CVD研究会，金沢工業大学，2011年6月17日〜18日

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