北陸先端科学技術大学院大学 [JAIST] - 研究者総覧
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赤堀 誠志 (アカボリ マサシ) 准教授
マテリアルサイエンス系、応用物理学領域

125件中61-80件目

  • 61. 温度変化磁気抵抗によるInGaAs/InAlAs2層2次元電子ガス系サブバンド構造の解析,赤堀誠志、片山智之、森本幸作、韋威、岩瀬比宇麻、山田省二,日本物理学会第66回年次大会、新潟 (2011).
  • 62. InGaAs/InAlAs2次元電子系のサイクロトロン共鳴,今中康貴、高増正、新田峻介、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会第66回年次大会、新潟 (2011).
  • 63. 低誘電率フレキシブル基板上InAs 薄膜におけるキャリア再結合寿命,滝田隼人、喜多哲平、赤堀誠志、飯山宏一、鈴木寿一,第58回応用物理学関係連合講演会、厚木 (2011).
  • 64. Characterization of sputtered AlN amorphous films and their applications to AlGaN/GaN MIS-HFET,H.-A. Shih, M. Kudo, M. Akabori, T. Suzuki,電子情報通信学会技術研究報告、長岡 (2011).
  • 65. GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果,工藤昌宏、シー・ホンアン、赤堀誠志、鈴木寿一,電子情報通信学会技術研究報告、長岡 (2011).
  • 66. III-V化合物半導体を用い歪み駆動自己変形プロセスで作製した微小な円弧型カンチレバーの弾性測定,岩瀬比宇麻、王建、赤堀誠志、山田省二,電子情報通信学会技術研究報告、長岡 (2011).
  • 67. 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析,赤堀誠志、片山智之、森本幸作、岩瀬比宇麻、山田省二,電子情報通信学会技術研究報告、長岡 (2011).
  • 68. Study of subband structure and Rashba spin-orbit interaction in In0.75Ga0.25As two-dimensionla electron gas bi-layer system via temperature dependent magneto-resistance measurements,M. Akabori, K. Morimoto, W. Wei, H. Iwase, S. Yamada,the 19th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Tallahassee, FL, USA, July 25-30 (2011).
  • 69. Electron accumulation and carrier recombination at surfaces and interfaces in InAs thin films bonded on low-k flexible substrates,H. Takita, C. T. Nguyen, S. P. Le, M. Akabori, T. Suzuki,2011 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Gifu, Japan, August 28-31 (2011).
  • 70. Experimental study of spin-injection into an InGaAs two-dimensional electron system with high In composition using CoFe-electrodes,S. Hidaka, T. Kondo, M. Akabori, S. Yamada,the 19th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Tallahassee, FL, USA, July 25-30 (2011).
  • 71. Selective Area Molecular Beam Epitaxy of InAs Nanowires on Various Oriented GaAs Substrates,M. Akabori, T. Murakami, S. Yamada,the 15th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Tallahassee, FL, USA, July 25-30 (2011).
  • 72. 領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(001), (111)Bおよび(110)マスク基板上へのInAsナノワイヤ形成,赤堀誠志、村上達也、山田省二,第72回応用物理学会学術講演会、山形(2011).
  • 73. InGaAs/InAlAs2次元電子系のテラヘルツサイクロトロン共鳴,今中康貴、高増正、新田峻介、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会2011秋季大会、富山 (2011).
  • 74. 非局所配置による高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入検証,日高志郎、近藤太郎、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会2011秋季大会、富山 (2011).
  • 75. 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系の層毎のスピン軌道相互作用と電子有効質量の解析,森本幸作、韋威、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会2011秋季大会、富山 (2011).
  • 76. Fabrication and analysis of AlN/GaAs(001) metal-insulator-semiconductor structure,M. Kudo, H. A. Shih, M. Akabori, T. Suzuki,2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan, September 28-30 (2011).
  • 77. Sputtered amorphous AlN gate dielectric for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistor,H. A. Shih, M. Kudo, M. Akabori, T. Suzuki,2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan, September 28-30 (2011).
  • 78. 非局所配置によるInGaAs-ニ次元電子系へのスピン注入検証,日高志郎、近藤太郎、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会第67回年次大会、西宮 (2012).
  • 79. 強いRashba効果を示すInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送特性,森本幸作、片山智之、中野治雄、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会第67回年次大会、西宮 (2012).
  • 80. CoFe電極を用いた高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入実験,日高志郎、近藤太郎、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会第66回年次大会、新潟 (2011).

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