北陸先端科学技術大学院大学 [JAIST] - 研究者総覧
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赤堀 誠志 (アカボリ マサシ) 准教授
マテリアルサイエンス系、応用物理学領域

125件中81-100件目

  • 81. InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス系における強磁場下磁気抵抗とスピン分裂磁場依存性,山田省二、新田駿介、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、今中康貴、高増正,日本物理学会2010秋季大会、堺 (2010).
  • 82. InGaAs/InAlAs 2層2次元電子ガス系試料極低温伝導の面内異方性と構造解析ヘテロ構造の電子輸送特性,韋威、森本幸作、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会2010秋季大会、堺 (2010).
  • 83. フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価,滝田隼人、橋本紀彦、工藤昌宏、赤堀誠志、鈴木寿一,電子情報通信学会技術研究報告、能美 (2010).
  • 84. (招聘講演)狭バンドギャップIII-V半導体におけるスピン軌道結合の制御,赤堀誠志,物質材料研究機構・量子ドットセンター第97回セミナー、つくば(2010).
  • 85. (依頼講演)狭ギャップ2次元電子ガスにおけるスピン軌道相互作用の競合と2層系の物理,赤堀誠志,日本物理学会2010秋季大会、堺(2010).
  • 86. Growth and magneto-transport characterization of double-doped InGaAs/InAlAs heterostructures with high indium compositions,M. Akabori, K. Morimoto, W. Wei, H. Iwase, and S. Yamada,the 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, Seoul, Korea, July 25- 30 (2010).
  • 87. Spring characteristics of circular arc shaped 3D micro-cantilevers fabricated using III-V semiconductor strain-driven bending process,T. K. Sasaki, H. Iwase, J. Wang, M. Akabori, and S. Yamada,the 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, Seoul, Korea, July 25- 30 (2010).
  • 88. Comparison of growth behavior for undoped and Si-doped GaAs and InAs nanowires deposited by selective area MOVPE,K. Sladek, A. Penz, M. Akabori, H. Hardtdegen and D. Gruetzmacher,the 8th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces, Como, Italy, June 14-18 (2010).
  • 89. Magnetic field dependency of spin-splitting in InGaAs/InAlAs two-dimensional elctron gas with strong Rashba spin-orbit coupling",S. Yamada, S. Nitta, H. Iwase, M. Akabori, Y. Imanaka, T. Takamasu,the 19th International Conference on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology, Fukuoka, Japan, August 1-6 (2010).
  • 90. Influence of Silicon Doping on the SA-MOVPE of InAs Nanowires,K. Sladek, A. Penz, K. Weis, S. Wirths, C. Volk, S. Alagha, M. Akabori, S. Lenk, M. Luysberg, H. Lueth, H. Hardtdegen, Th. Schaepers, and D. Gruetzmacher,2010 Materials Research Society Spring Meeting, San Francisco, California, USA, April 5-9 (2010).
  • 91. Anisotropic electron transport of two-dimensional electron gases in compressively-strained, lattice-matched, and tensilely-strained InGaAs on InP(001),M. Akabori, T. Q. Trinh, M. Kudo, Th. Schaepers, H. Hardtdegen, and T. Suzuki,the 2009 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Nagano, Japan, August 25-28 (2009).
  • 92. Strain-enhanced electron mobility anisotropy and piezoelectric scattering in InGaAs/InP 2DEGs,M. Akabori, T. Q. Trinh, M. Kudo, Th. Schaepers, H. Hardtdegen, and T. Suzuki,the 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Kobe, Japan, July 19-24 (2009).
  • 93. InP/InGaAs/InP(001)二次元電子移動度の異方性,赤堀誠志、T. Q. チン、工藤昌宏、Th. シェーパーズ、H. ハートディーゲン、鈴木寿一,第70回応用物理学会学術講演会、富山 (2009).
  • 94. InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性,赤堀誠志、T. Q. チン、工藤昌宏、Th. シェーパーズ、H. ハートディーゲン、鈴木寿一,電子情報通信学会技術研究報告、東京 (2009)
  • 95. Catalyst free MOVPE of GaAs- and InAs-Based Nanowires in N2 atmosphere,K. Sladek, M. Akabori, A. Penz, M. von der Ahe, S. Estevez Hernandez, Th. Schaepers, N. Demarin, H. Hardtdegen, and D. Gruetzmacher,The 13th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Ulm, Germany, June 7-10 (2009)
  • 96. ダブルドープした高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ構造の電子輸送特性,森本幸作、赤堀誠志、韋威、岩瀬比宇麻、山田省二,日本物理学会第65回年次大会、岡山、(2010).
  • 97. フレキシブル基板上に貼り付けられたInAs超薄膜における電子輸送,橋本紀彦、滝田隼人、工藤昌宏、赤堀誠志、鈴木寿一,第57回応用物理学関係連合講演会、平塚 (2010).
  • 98. 強磁性電極/InGaAs2次元電子ガス系新構造におけるスピン注入,日高志郎、新田峻介、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会第65回年次大会、岡山 (2010).
  • 99. N2キャリアガスMOVPEによるInAsナノワイヤの高温選択成長,赤堀誠志, K.スラデック, H.ハートディーゲン, Th.シェーパーズ, D.グリュツマッハ,第56回応用物理学関係連合講演会、つくば(2009)
  • 100. 選択成長形成In0.53Ga0.47As/In0.77Ga0.23As/InPサブミクロン細線構造におけるスピン-軌道結合,赤堀誠志, V.A.グゼンコ, Th.シェーパーズ, H.ハートディーゲン,第56回応用物理学関係連合講演会、つくば(2009)

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