北陸先端科学技術大学院大学 [JAIST] - 研究者総覧
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赤堀 誠志 (アカボリ マサシ) 准教授
マテリアルサイエンス系、応用物理学領域

125件中1-20件目

  • 1. 障壁をもち幅の狭いInGaAs量子井戸2次元電子ガス2層系におけるサブバンド構造、スピン軌道相互作用と量子ホール効果,山田省二、藤元章、赤堀誠志、今中康貴、竹端寛治,日本物理学会2016年秋季大会、16aAB-2、金沢、9/13-16 (2016).
  • 2. InGaAs量子井戸2次元電子ガス2層系において検出した共鳴スピンホール効果信号の検討,山田省二、藤元章、赤堀誠志,日本物理学会2016年秋季大会、16aAB-3、金沢、9/13-16 (2016).
  • 3. Fabrication of suspended ultrathin layer of Mo0.97Nb0.03S2 for measurement of thermal conductivity,X. T. Pham, M. Schmidt, T. T. Phan, M. Akabori, M. Koyano,第13回日本熱電学会学術講演会、S3B4、東京、9/5-7 (2016).
  • 4. Selective area growth of well-ordered ZnO nanowires on (111) oriented masked substrates by electrochemical method,H. T. Pham, M. Akabori,第77回応用物理学会学術講演会、15a-P9-6、新潟、9/13-16 (2016).
  • 5. Molecular beam epitaxial growth of ferromagnetic-MnAs/III-As semiconductor heterostructures on (111)B surfaces for lateral spin device application,Md. E. Islam, K. Hayashida, M. Akabori,3rd International Symposium on Frontiers in Materials Science, SS-I1.2, Hanoi, Vietnam, September 28-30 (2016).
  • 6. Measurement of resonant spin Hall effect in InGaAs 2DEG bilayer system,S. Yamada, H. Iwase, Y. Soeda, M. Akabori, A. Fujimoto,9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids, P2-13, Kobe, Japan, August 8-11 (2016).
  • 7. Subband transport and quantum Hall effect in InGaAs/InAlAs 2DEG bilayer with surface inversion layer,S. Yamada, Y. Soeda, M. Akabori, A. Fujimoto, Y. Imanaka, K. Takehana,9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids, P1-24, Kobe, Japan, August 8-11 (2016).
  • 8. Sheet Electron Density Dependence of Electron Mobility Anisotropy in In0.75Ga0.25As/InP Two-Dimensional Electron Gas,M. Akabori,2016 Compound Semiconductor Week, MoP-ISCS-060, Toyama, Japan, June 26-30 (2016).
  • 9. GaAs barrier insertion into MnAs/InAs hybrid heterostructures on GaAs(111)B for lateral spin valve device application,Md. E. Islam, M. Akabori,第77回応用物理学会学術講演会、13p-P8-41、新潟、9/13-16 (2016).
  • 10. Characterization of Spin-Orbit Coupling in Gated Wire Structures Using In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As Inverted Heterojunctions,(Invited) T. Ohori, M. Akabori, S. Hidaka, and S. Yamada,2nd International Symposium on Frontiers in Materials Science, R3-3-3, Tokyo, Japan, November 19-21 (2015).
  • 11. In-Plane Transport Properties of MnAs/InAs/ GaAs(111)B Grown by Molecular Beam Epitaxy,Md. E. Islam, C. T. Nguyen, M. Akabori,2nd International Symposium on Frontiers in Materials Science, P3-26, Tokyo, Japan, November 19-21 (2015).
  • 12. MnAs/InAsへテロ構造を用いた横型スピンバルブ素子の試作,イスラム ヤールル、赤堀誠志,平成27年度応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会、B14、長野、12/12 (2015).
  • 13. Magnetic properties and lateral spin-valve device application of MnAs/InAs/GaAs(111)B,Md. E. Islam, M.,第63回応用物理学会春季学術講演会、19p-P1-53、東京(2016).
  • 14. 酸化グラフェンからの高結晶性グラフェン薄膜におけるバンド伝導の起源,根岸良太、伊藤孝寛、仲武昌史、赤堀誠志、渡辺義夫、小林慶裕,第63回応用物理学会春季学術講演会、21a-S011-10、東京(2016).
  • 15. InGaAs 2次元電子ガス2層系における共鳴スピンホール効果測定,山田省二、藤元章、添田幸伸、赤堀誠志,日本物理学会第71回年次大会、21aAG-4、仙台(2016).
  • 16. 表面反転層高In組成2次元電子ガス2層系のサブバンド構造と量子ホール効果,添田幸伸、赤堀誠志、藤元章、山田省二、今中康貴、竹端寛治,日本物理学会第71回年次大会、21aAG-5、仙台(2016).
  • 17. 高In組成InGaAs2次元電子ガスにおけるスピンバルブ特性の結晶方位依存性,添田幸伸、日高志郎、赤堀誠志、山田省二,日本物理学会第71回年次大会、21aAG-6、仙台(2016).
  • 18. Nitrogen and helium gas field ion source for nanofabrication,M. E. Schmidt, K. Nagahara, O. Takechi, M. Akabori, A. Yasaka, T. Shimoda and M. Mizuta, AVS 62nd International Symposium & Exhibition 2015, San Jose, California, USA, October 18-23 (2015).
  • 19. InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系における分数量子ホールプラトーの痕跡,山田省二、今中康貴、竹端寛治、赤堀誠志,日本物理学会2015年秋季大会、17aAE-6、吹田、9/16-19 (2015).
  • 20. 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系共鳴スピンホール効果観測の基本検討,山田省二、藤元章、赤堀誠志,日本物理学会2015年秋季大会、17aAE-5、吹田、9/16-19 (2015).

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