赤堀　誠志 （アカボリ　マサシ）　准教授
ナノマテリアルテクノロジーセンター

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• 1.　Verification of electrical spin injection into InGaAs two-dimensional electron gas from CoFe electrode by four-terminal non-local geometry，S. Hidaka, T. Kondo, M. Akabori, and S. Yamada，the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29-August 3 (2012).
• 2.　Electron mobility anisotropy in InAs/GaAs(001，S. P. Le, M. Akabori, and T. Suzuki，the 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Nara Japan, September 23-28 (2012).
• 3.　Low temperature anisotropic transport and related structure analysis in InGaAs two-dimensional electron gas bilayer system，W. Wei, S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada, H. Hirayama, and Y. Suzuki，the 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Nara Japan, September 23-28 (2012).
• 4.　Control of InGaAs two-dimensional electron gas bilayer system for new type Rashba spintronics devices，M. Akabori, H. Nakano, S. Hidaka, H. Iwase, and S. Yamada，the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29-August 3 (2012).
• 5.　Magneto-transport properties of InAs nanowires laterally-grown by selective area molecular beam epitaxy on GaAs (110) masked substrates，M. Akabori and S. Yamada，the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29-August 3 (2012).
• 6.　強磁性電極/高In組成InGaAs-2次元電子系接合における非局所スピン注入のゲート電圧依存性，日高志郎、近藤太郎、赤堀誠志、山田省二，日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012).
• 7.　高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系のトップゲート制御，近藤太郎、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二，日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012).
• 8.　InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴，今中康貴、高増正、韋威、森本幸作、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二，日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012).
• 9.　GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性，赤堀誠志、山田省二，日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012).
• 10.　Anomalous cyclotron resonance in InGaAs/InAlAs Rashba systems，Y. Imanaka, T. Takamasu, S. Nitta, M. Akabori, and S. Yamada，the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29-August 3 (2012).
• 11.　非局所配置による高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入検証，日高志郎、近藤太郎、赤堀誠志、山田省二，日本物理学会2011秋季大会、富山 (2011).
• 12.　高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系の層毎のスピン軌道相互作用と電子有効質量の解析，森本幸作、韋威、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二，日本物理学会2011秋季大会、富山 (2011).
• 13.　Fabrication and analysis of AlN/GaAs(001) metal-insulator-semiconductor structure，M. Kudo, H. A. Shih, M. Akabori, T. Suzuki，2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan, September 28-30 (2011).
• 14.　Sputtered amorphous AlN gate dielectric for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistor，H. A. Shih, M. Kudo, M. Akabori, T. Suzuki，2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan, September 28-30 (2011).
• 15.　非局所配置によるInGaAs-ニ次元電子系へのスピン注入検証，日高志郎、近藤太郎、赤堀誠志、山田省二，日本物理学会第67回年次大会、西宮 (2012).
• 16.　強いRashba効果を示すInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送特性，森本幸作、片山智之、中野治雄、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二，日本物理学会第67回年次大会、西宮 (2012).
• 17.　CoFe電極を用いた高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入実験，日高志郎、近藤太郎、赤堀誠志、山田省二，日本物理学会第66回年次大会、新潟 (2011).
• 18.　温度変化磁気抵抗によるInGaAs/InAlAs2層2次元電子ガス系サブバンド構造の解析，赤堀誠志、片山智之、森本幸作、韋威、岩瀬比宇麻、山田省二，日本物理学会第66回年次大会、新潟 (2011).
• 19.　InGaAs/InAlAs2次元電子系のサイクロトロン共鳴，今中康貴、高増正、新田峻介、赤堀誠志、山田省二，日本物理学会第66回年次大会、新潟 (2011).
• 20.　低誘電率フレキシブル基板上InAs 薄膜におけるキャリア再結合寿命，滝田隼人、喜多哲平、赤堀誠志、飯山宏一、鈴木寿一，第58回応用物理学関係連合講演会、厚木 (2011).

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