北陸先端科学技術大学院大学 [JAIST] - 研究者総覧
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赤堀 誠志 (アカボリ マサシ) 准教授
ナノマテリアルテクノロジーセンター

125件中1-20件目

  • 1. 障壁をもち幅の狭いInGaAs量子井戸2次元電子ガス2層系におけるサブバンド構造、スピン軌道相互作用と量子ホール効果,山田省二、藤元章、赤堀誠志、今中康貴、竹端寛治,日本物理学会2016年秋季大会、16aAB-2、金沢、9/13-16 (2016).
  • 2. InGaAs量子井戸2次元電子ガス2層系において検出した共鳴スピンホール効果信号の検討,山田省二、藤元章、赤堀誠志,日本物理学会2016年秋季大会、16aAB-3、金沢、9/13-16 (2016).
  • 3. Fabrication of suspended ultrathin layer of Mo0.97Nb0.03S2 for measurement of thermal conductivity,X. T. Pham, M. Schmidt, T. T. Phan, M. Akabori, M. Koyano,第13回日本熱電学会学術講演会、S3B4、東京、9/5-7 (2016).
  • 4. Selective area growth of well-ordered ZnO nanowires on (111) oriented masked substrates by electrochemical method,H. T. Pham, M. Akabori,第77回応用物理学会学術講演会、15a-P9-6、新潟、9/13-16 (2016).
  • 5. Molecular beam epitaxial growth of ferromagnetic-MnAs/III-As semiconductor heterostructures on (111)B surfaces for lateral spin device application,Md. E. Islam, K. Hayashida, M. Akabori,3rd International Symposium on Frontiers in Materials Science, SS-I1.2, Hanoi, Vietnam, September 28-30 (2016).
  • 6. Measurement of resonant spin Hall effect in InGaAs 2DEG bilayer system,S. Yamada, H. Iwase, Y. Soeda, M. Akabori, A. Fujimoto,9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids, P2-13, Kobe, Japan, August 8-11 (2016).
  • 7. Subband transport and quantum Hall effect in InGaAs/InAlAs 2DEG bilayer with surface inversion layer,S. Yamada, Y. Soeda, M. Akabori, A. Fujimoto, Y. Imanaka, K. Takehana,9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids, P1-24, Kobe, Japan, August 8-11 (2016).
  • 8. Sheet Electron Density Dependence of Electron Mobility Anisotropy in In0.75Ga0.25As/InP Two-Dimensional Electron Gas,M. Akabori,2016 Compound Semiconductor Week, MoP-ISCS-060, Toyama, Japan, June 26-30 (2016).
  • 9. GaAs barrier insertion into MnAs/InAs hybrid heterostructures on GaAs(111)B for lateral spin valve device application,Md. E. Islam, M. Akabori,第77回応用物理学会学術講演会、13p-P8-41、新潟、9/13-16 (2016).
  • 10. InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系における分数量子ホールプラトーの痕跡,山田省二、今中康貴、竹端寛治、赤堀誠志,日本物理学会2015年秋季大会、17aAE-6、吹田、9/16-19 (2015).
  • 11. 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系共鳴スピンホール効果観測の基本検討,山田省二、藤元章、赤堀誠志,日本物理学会2015年秋季大会、17aAE-5、吹田、9/16-19 (2015).
  • 12. 半導体スピントロニクスに向けたInAsナノワイヤの作製と電気的評価,赤堀誠志,応用物理学会 北陸・信越支部 若手研究者サマーセミナー合宿勉強会と研究討論会、O5、飯山、8/31-9/1 (2015).
  • 13. In組成〜75%のInGaAs/InAlAs逆ヘテロ接合を用いたゲート付細線構造の作製と電気的特性,大堀高寛、赤堀誠志、日高志郎、山田省二,応用物理学会 北陸・信越支部 若手研究者サマーセミナー合宿勉強会と研究討論会、P1、飯山、8/31-9/1 (2015).
  • 14. In-plane electrical properties of MnAs/InAs/ GaAs(111)B heterostructures,Md. E. Islam, C. T. Nguyen, M. Akabori,電子情報通信学会技術研究報告、ED2015-43、金沢、7/24-25 (2015).
  • 15. Cyclotron resonance in InGaAs Rashba bilayer systems,Y. Imanaka, K. Takehana, S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, and S. Yamada, 21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Th-PE-7, Sendai, Japan, July 26-31 (2015).
  • 16. Subband transport in two-dimensional electron gas bilayer system in narrow In0.75Ga0.25As well with center In0.75Al0.25As barrier,K. Hu, S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, and S. Yamada,21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Tu-PE-18, Sendai, Japan, July 26-31 (2015).
  • 17. Fabrication and characterization of gated parallel wire structures having a metamorphic InGaAs/InAlAs heterojunction with high In content,T. Ohori, M. Akabori, S. Hidaka, and S. Yamada,21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Tu-PE-14, Sendai, Japan, July 26-31 (2015).
  • 18. Traces of fractional quantum Hall plateaus in asymmetric two-dimensional electron gas bilayer system in wide In0.75Ga0.25As well,S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada, Y. Imanaka, and K. Takehana,21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Mo-PE-22, Sendai, Japan, July 26-31 (2015).
  • 19. Contact properties of MnAs/InAs grown on GaAs(111)B by molecular beam epitaxy,Md. E. Islam, C. T. Nguyen, M. Akabori,the 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, Niigata, Japan, June 16-19 (2015)
  • 20. In(Ga)As系2DEG・ナノワイヤにおける伝導電子のスピン物性,(招待講演) 赤堀誠志,応用物理学会応用電子物性分科会研究例会、東京(2015)

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