北陸先端科学技術大学院大学 [JAIST] - 研究者総覧
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高村 由起子 (タカムラ ユキコ) 准教授
マテリアルサイエンス系、応用物理学領域

128件中1-20件目

  • 1. Investigation of core level quasiparticles in epitaxial silicene by density functional theory,C.C. Lee, 吉信淳, 向井孝三, 吉本真也, 上田博昭, A. Fleurence, 高村由起子, 尾崎泰助,日本物理学会第72回年次大会,大阪大学豊中キャンパス,2017.03.20
  • 2. From striped domain to single domain: Evolution of partial dislocations in epitaxial silicene,A. Fleurence and Y. Yamada-Takamura,American Physical Society March Meeting 2017,New Orleans, U.S.A.,2017.03.13
  • 3. Templating sharp molecular-like states using domain boundaries of the 2D material silicene on ZrB2,C. F. Hirjibehedin, B. Warner, T. G. Gill, V. Caciuc, N. Atodiresei, A. Fleurence, Y. Yoshida, Y. Hasegawa, S. Bluegel, and Y. Yamada-Takamura,American Physical Society March Meeting 2017,New Orleans, U.S.A.,2017.03.13
  • 4. Electronic and structural properties of epitaxial silicene on h-BN-terminated ZrB2,F. B. Wiggers, A. Fleurence, K. Aoyagi, T. Yonezawa, Y. Yamada-Takamura, H. Feng, J. Zhuang, Y. Du, A. Kovalgin, M. de Jong,American Physical Society March Meeting 2017,New Orleans, U.S.A.,2017.03.13
  • 5. Spatially anisotropic Kondo effect formed from individual Co atoms on silicene/ZrB2,T. G. GIll, B. Warner, H. Prueser, N. Atodiresei, V. Caciuc, A. Fleurence, S. Bluegel, Y. Yamada-Takamura, and C. F. Hirjibehedin,American Physical Society March Meeting 2017,New Orleans, U.S.A.,2017.03.16
  • 6. 放射光を用いたシリセンの構造・電子状態解析,高村(山田)由起子,第5回次世代先端デバイス研究会/第19回SPring-8先端利用技術ワークショップ,AP品川京急第2ビル,2017.11.02
  • 7. シリセン/ZrB2/Si(111)表面へのNO吸着と反応,向井孝三, 上田博昭, 芳倉佑樹, 宮原亮介, A. Fleurence, 高村(山田)由起子, C.-C. Lee, 尾崎泰助, 吉本真也, 吉信淳,日本物理学会第72回年次大会,大阪大学豊中キャンパス,2017.03.20
  • 8. Silicene and beyond: Group IV 2D materials in their epitaxial form,Yukiko Yamada-Takamura,CEMS Topical Meeting on “Emergent 2D Materials 2017”,Okochi hall, RIKEN,2017.07.20
  • 9. Ge(111) 基板にファンデルワールスエピタキシー成長した GaSe 薄膜の界面構造,東嶺 孝一、米澤 隆宏、村上 達也、アントワーヌ フロランス、高村 ( 山田 ) 由起子、大島 義文,第73回日本顕微鏡学会学術講演会,札幌コンベンションセンター,2017.06.01
  • 10. Silicene and beyond: Group IV 2D materials in their epitaxial form,Y. Yamada-Takamura,International Union of Materials Research Societies – International Conference on Electronic Materials 2018 (IUMRS-ICEM 2018),Daejeon Convention Center, Daejeon, Korea,2018.08.19-24
  • 11. Silicene and Beyond: Group IV 2D Materials in their Epitaxial Form,Y. Yamada-Takamura,The 2nd Nippon-Taiwan Workshop on Innovation of Emergent Materials,JAIST,2018.03.01
  • 12. Challenges in silicene formation on GaSe (poster presentation),T. Yonezawa, T. Murakami, K. Higashimine, A. Fleurence, Y. Oshima1 and Y. Yamada-Takamura,CEMS Topical Meeting on “Emergent 2D Materials 2017”,Okochi hall, RIKEN,2017.07.21
  • 13. ポストグラフェン材料とそのヘテロ構造の形成及び電子状態解析,高村(山田)由起子,第91回表面科学研究会 平成29年度中部表面科学シンポジウム「機能性薄膜の最近の動向」,名古屋工業大学,2018.01.20
  • 14. 二次元材料を放射光で観る−シリセン研究に欠かせない光電子分光の役割,高村(山田)由起子,UVSORシンポジウム2017,岡崎コンファレンスセンター,2017.10.28
  • 15. Atomistic study of GaSe/Ge(111) interface formed through van der Waals epitaxy (poster presentation),T. Yonezawa, T. Murakami, K. Higashimine, A. Fleurence, Y. Oshima, and Y. Yamada-Takamura,Atomic Level Characterization (ALC) '17,Kauai, U.S.A.,2017.12.05
  • 16. IV族二次元材料とそのヘテロ構造の形成,高村(山田)由起子,(公財)科学技術交流財団第三回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会,名古屋,2017.01.25
  • 17. 二ホウ化ジルコニウム薄膜上のシリセンの形成,高村(山田)由起子,早稲田大学先進理工学研究科電気・情報生命専攻におけるセミナー,2016.12.22
  • 18. MBE法によるGe(111)基板上へのGaSe成長,米澤 隆宏、村上 達也、東嶺 孝一、アントワーヌ フロランス、大島 義文、高村(山田) 由起子,第64回応用物理学会春季学術講演会,パシフィコ横浜,2017.03.16
  • 19. シリセンの実験的合成と構造・電子状態評価,高村(山田)由起子,ポスト「京」重点課題 (7)「次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成」サブ課題G 第5回「共通基盤シミュレーション手法」連続研究会「低次元量子相のスペクトロスコピー 〜計算と実験の協奏〜」,東京理科大学葛飾キャンパス,2017.02.23
  • 20. Group-IV two-dimensional materials beyond graphene,Y. Yamada-Takamura,The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18),Nagoya, Japan,2016.08.11

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