北陸先端科学技術大学院大学 [JAIST] - 研究者総覧
現在ページ トップページ 所属別一覧表研究者紹介>全件表示

講演発表表示
表示方法:
表示順:

 

 

松村 英樹 (マツムラ ヒデキ) 特任教授
ナノマテリアルテクノロジーセンター

589件中1-20件目

  • 1. Application of Cat-CVD technology to crystalline silicon solar cells,K. Ohdaira, Trinh Thi Cham, T. Oikawa, J. Seto, K. Koyama, and H. Matsumura,SCEJ 82nd Annual Meeting,Shibaura Institute of Technology,March 6-8, 2017
  • 2. 非質量分離型イオン注入によるa-Si/c-Siヘテロ接合界面のP,H分布,小山 晃一、山口 昇、田中 美和、鈴木 英夫、大平 圭介、松村 英樹,第64回応用物理学会春季学術講演会,パシフィコ横浜,2017年3月14-17日
  • 3. Application of catalytic chemical vapor deposition to the fabrication process of high-efficiency crystalline silicon solar cells,K. Ohdaira, Trinh Cham Thi, S. Tsuzaki, T. Oikawa, J. Seto, K. Koyama, and H. Matsumura,13th China SoG Silicon and PV Power Conference,Wyndham Xuzhou East, China,2017年11月16-18日
  • 4. Entrance of low cost fabrication of back-contact hetero-junction solar cells by using plasma ion-implantation,K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura,44th IEEE Photovoltaic Specialists Conference,Marriott Wardman Park Hotel, Washington D.C., U.S.,2017年6月25-30日
  • 5. Cat-CVD : Damage-Free Thin-Film-Deposition Technique for Fabrication of High Efficiency Solar Cells,H. Matsumura, N. C. Thanh, K. Koyama, K. Higashimine, and K. Ohdaira,BIT's 6th Annual World Congress of Advanced Materials-2017,Xi'an, China,2017年6月14-16日
  • 6. Low-cost fabrication of patterned electrodes in hetero-junction back-contact silicon solar cells by plasma ion-implantation,K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura,33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition,RAI Congress & Exhibition Centre, Amsterdam,2017年9月25-29日
  • 7. Cat-CVD Technology Preparing Excellent Quality Passivation Films for High Efficiency Crystalline Silicon Solar Cells,H. Matsumua, K. Koyama, C. T. Nguyen, K. Higashimine, and K. Ohdaira,3rd International Conference on Advanced Energy Material,University of Surrey, Guildford, England,2017年9月11-13日
  • 8. Catalytic phosphorus and boron doping to amorphous silicon films,K. Ohdaira, J. Seto, and H. Matsumura,26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26),Marina Bay Sands, Singapore,2016年10月24-28日
  • 9. a-Siパッシベーション膜へのCat-dopingによる結晶Siの少数キャリア寿命の変化,瀬戸 純一、大平 圭介、松村 英樹,第63回応用物理学会春季学術講演会,東京工業大学,2016年3月19-22日
  • 10. a-Si/c-Siパシベーション層へのプラズマイオンドーピング,小山 晃一、山口 昇、田中 美和、鈴木 英夫、大平 圭介、松村 英樹,日本学術振興会第175委員会 第13回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム,アオーレ長岡,2016年5月19-20日
  • 11. Effect of Chemical Cleaning before Deposition of Cat-CVD Passivation Films to Realize Extremely Low Surface Recombination Velocity on Textured Structure,Cong Thanh Nguyen, Koichi Koyama, Shigeki Terashima, Chikao Okamoto, Shuichiro Sugiyama, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura,2016 MRS Spring Meeting & Exhibit,Phoenix, Arizona, USA,2016年3月28日-4月1日
  • 12. a-Si へのCatドーピングのパッシベーション能力への影響,大平 圭介、瀬戸 純一、松村 英樹,第13回Cat-CVD研究会,北見工業大学,2016年7月8-9日
  • 13. Cat-CVD a-Si膜へのプラズマイオンドーピング,小山 晃一、山口 昇、田中 美和、鈴木 英夫、大平 圭介、松村 英樹,第13回Cat-CVD研究会,北見工業大学,2016年7月8-9日
  • 14. イオン注入を用いた裏面電極ヘテロ接合太陽電池製造工程の簡略化 ―― a-Si/c-Siパシベーション電極の伝導型制御,小山 晃一、山口 昇、田中 美和、鈴木 英夫、大平 圭介、松村 英樹,第77回応用物理学会秋季学術講演会,朱鷺メッセ,2016年9月13-16日
  • 15. Cat-CVD Silicon Nitride Films and Catalytic Impurity Doping for Application to Silicon-Based Solar Cells,Keisuke Ohdaira, Trinh Thi Cham, Koichi Koyama, Junichi Seto, Hideki Matsumura,9th International Confenrence on Hot Wire (Cat) and Initiated Chemical Vapor Deposition,Philadelphia, USA,2016年9月6-9日
  • 16. Chemical Resistant Silicon Nitride Prepared by Cat-CVD for Solar Cell Application,Cong Thanh Nguyen, Koichi Koyama, Shigeki Terashima, Huynh Thi Cam Tu, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura,9th International Confenrence on Hot Wire (Cat) and Initiated Chemical Vapor Deposition,Philadelphia, USA,2016年9月6-9日
  • 17. Plasma Ion Implantation to Cat-CVD a-Si Passivation Films,Koichi Koyama, Noboru Yamaguchi, Miwa Tanaka, Hideo Suzuki, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura,9th International Confenrence on Hot Wire (Cat) and Initiated Chemical Vapor Deposition,Philadelphia, USA,2016年9月6-9日
  • 18. PのCat dopingを施したa-Si膜に対する活性化アニール,瀬戸 純一、大平 圭介、松村 英樹,第76回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋国際会議場,2015年9月13-16日
  • 19. Atomic Scale Study on Interface of Amorphous-Silicon/Crystalline-Silicon,H. Matsumura, K. Higashimine, K. Koyama, K. Ohdaira, and S. Yokoyama,26th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS26),Aachen, Germany,2015年9月13-18日
  • 20. Cat-doping法によるa-Si膜への低温ドーピング,瀬戸 純一、大平 圭介、松村 英樹,第62回応用物理学会春季学術講演会,東海大学,2015年3月11-14日

 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 次へ ≫ ]