松村　英樹 （マツムラ　ヒデキ）　特任教授
その他

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• 1.　Passivation Quality of A SiNx Single Passivation Layer on Crystalline-Si Prepared by Cat-CVD，Cham Thi Trinh，Koyama Koichi，Ohdaira Keisuke，Matsumura Hideki，第60回応用物理学会春季学術講演会（神奈川工科大），2013年3月27-30日
• 2.　低温ドーピングを用いたa-Si/c-Siヘテロ接合ダイオードの作製，津崎省吾、太田立教、小山晃一、大平圭介、松村英樹，第60回応用物理学会春季学術講演会（神奈川工科大），2013年3月27-30日
• 3.　フラッシュランプアニールによるa-Ge膜の結晶化，大平圭介、松村英樹，第60回応用物理学会春季学術講演会（神奈川工科大），2013年3月27-30日
• 4.　Passivation Quality of A SiNx Single Passivation Layer on Crystalline-Si Prepared by Cat-CVD，Trinh Cham Thi, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura，日本学術振興会第175委員会 第10回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム，石川県立音楽堂，2013年5月23-24日
• 5.　ヘテロ接合ダイオードへの低温ドーピング技術導入の検討，津﨑省吾、太田立教、小山晃一、大平圭介、松村英樹，日本学術振興会第175委員会 第10回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム，石川県立音楽堂，2013年5月23-24日
• 6.　低表面再結合速度を実現するCat-CVDSiNx/a-Si積層パシベーション膜の光・温度・湿度耐性の評価，小山晃一、後藤太樹、大平圭介、松村英樹，日本学術振興会第175委員会 第10回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム，石川県立音楽堂，2013年5月23-24日
• 7.　不純物ガスの接触分解を用いる低温不純物ドーピング(Cat-Doping)法と表面電界制御への応用，松村英樹、早川太朗、太田立教、宮本素明、小山晃一、大平圭介，日本学術振興会第175委員会 第10回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム，石川県立音楽堂，2013年5月23-24日
• 8.　Study of the Relationship Between a Gas-Barrier Property and the Membrane Stress of Films Made by a Cat-CVD Method，T. Tsutsumi, H. Yanagihara, H. Amanai, S.Yoshida, Y. Watanabe, K. Ohdaira, and H. Matsumura，55th 2012 SVC Annual Technical Conference, Santa Clara, USA, 2012年4月28-5月3日
• 9.　Surface passivation of crystalline silicon by SiNx/Si-rich SiNx stacked layers，Trinh Cham Thi, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura，第73回応用物理学会学術講演会，松山，2012年9月11-14日
• 10.　Cat-CVD装置を用いたSiへのB原子のドーピング，太田 立教、小山 晃一、大平 圭介、松村 英樹，第73回応用物理学会学術講演会，松山，2012年9月11-14日
• 11.　a-Si, SiNxパッシベーションにおける光劣化および熱回復，後藤 太樹、小山 晃一、大平 圭介、松村 英樹，第73回応用物理学会学術講演会，松山，2012年9月11-14日
• 12.　Surface passivation of c-Si wafers using Cat-CVD SiNx/Si-rich SiNx stacked films，Trinh Cham Thi, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura，7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition，大阪，2012年10月8-12日
• 13.　Low Temperature Boron Doping into Crystalline Silicon by Boron-Containing Species Generated in Cat-CVD Apparatus，T. Ota, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura，7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition，大阪，2012年10月8-12日
• 14.　Surface Passivation on Crystalline Silicon with Low Optical Reflectivity and Low Surface Recombination Velocity，H. Matsumura, K. Katoh, K. Koyama, K. Ohdaira，22nd international Photovoltaic Science and Engineering Conference，Hangzhou, China，November 5-9, 2012
• 15.　Study on Stability of SiNx/a-Si Stacked Passivation Layer Realizing Extremely Low Surface Recombination Velocity，T. Goto, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura，22nd international Photovoltaic Science and Engineering Conference，Hangzhou, China，November 5-9, 2012
• 16.　Low Temperature Doping of P and B atoms into Crystalline Si by Catalytically Generated Species from PH3 and B2H6，T. Ohta, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura，22nd international Photovoltaic Science and Engineering Conference，Hangzhou, China，November 5-9, 2012
• 17.　Cat-CVD装置を用いたSiへのB原子のドーピング，太田 立教、小山 晃一、大平 圭介、松村英樹，第9回Cat-CVD研究会，日本大学津田沼キャンパス，2012年6月22-23日
• 18.　a-Si/SiNxパッシベーションにおける光劣化，後藤 太樹、小山 晃一、大平 圭介、松村英樹，第9回Cat-CVD研究会，日本大学津田沼キャンパス，2012年6月22-23日
• 19.　Cat-CVD SiNx/a-Si積層膜がc-Siに対する 高品質界面特性を有する原因の究明 その2，小山 晃一、東嶺 孝一、大平 圭介、大塚 信雄、松村 英樹，第9回Cat-CVD研究会，日本大学津田沼キャンパス，2012年6月22-23日
• 20.　Study of the relationship between a gas-barrier property and the residual stress of film made by a Cat-CVD method，堤健智、天内英隆、柳原英人、吉田重信、大平圭介、松村英樹，第9回Cat-CVD研究会，日本大学津田沼キャンパス，2012年6月22-23日

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