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環境・エネルギー領域の増田助教が小笠原科学技術振興財団の研究助成に採択

環境・エネルギー領域増田貴史助教が小笠原科学技術振興財団の研究助成に採択されました。

小笠原科学技術振興財団は、高分子分野における新素材・加工技術・新機能に対して助成をしております。

■採択期間
 平成29年4月1日-平成30年3月31日

■研究課題
 「水素化ケイ素高分子溶液を用いた三次元Siダイオードとその微細加工技術の創出」

■研究概要
 私たちが創出した「液体Si」とは、(SiH2)nの化学式を持つ高分子の溶液であり、熱や光で脱水素化する事で半導体の固体Siとなる新物質です。液体Siは、ボロンや燐の化学ドープによるP型/N型特性の発現、塗布型Siデバイスの作製、レーザーによる結晶Siの出現等、従来の有機ケイ素高分子には無い優れた特性を兼ね備えています。更に近年私たちは、液体Siの液体→固体相転移過程に出現するSiゲルが優れた加工性を有することを見出しました。本研究は、P型/N型のSiゲルのナノインプリント加工により、従来技術では作製困難であった空間分解能を有する3次元構造のPN接合(ダイオード)の直接成型と、それに係る加工技術の創出を目的としています。本申請は、切削プロセス(フォトリソグラフィ)に立脚した従来のSi工学からの脱却を目指すと共に、Si半導体産業が「液体」という次世代の材料系へ移行するための先導的役割を果たすものであると考えます。液体Siの登場により、高分子に係る学術領域が初めて最先端のSi半導体の分野と交差します。本研究は高分子科学という立場に軸足を置きながら、半導体Si工学における技術革新を追及する試みとなります。

■採択にあたって一言
 この度は本助成に採択され、たいへん光栄で嬉しく思います。小笠原科学技術振興財団および選考委員の皆様に心より感謝申し上げます。また、本研究を進めるにあたり熱心にご指導を頂きました下田教授、また多くのご助言を頂きました研究室のメンバー及びスタッフの方々にも深く感謝致します。

平成29年2月22日

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