論文がScientific Reportsに掲載

■掲載紙
　Scientific Reports 6, 37689 (2016).

■著者
　Takashi Masuda, Narihito Tatsuda, Kazuhisa Yano, Tatsuya Shimoda

■論文タイトル
「Silicon deposition in nanopores using a liquid precursor（液体前駆体を用いたナノ細孔へのSi製膜）」

■論文概要
　半世紀に亘り半導体の開発を支えてきたムーアの法則が2020年に終焉を迎えると、ついに正式に発表されました（ITRS 2.0, 2016年）。ムーアの法則の番人であるインテルでさえも、2020年には微細化を終え、次には素子の3次元化に進むと発表しています。そこで重要な技術となるのが、微細な孔内へのSi埋め込み技術です。本論文では、そのような時代背景を鑑み、従来技術よりも一桁小さなシングルナノ（3.5nm)の細孔へSiを埋め込む新技術を報告しました。
　私たち下田研究室で開発をした「液体Si」は、半導体Siの前駆体となる液体物質です。この物質は従来のSi系物質（シランやジシラン）と比べ、σ共役由来の大きな電子揺らぎと、重元素由来の強い電子分極を持ち、そのために大きなvan der Waalsエネルギーを持つ事が研究から明らかとなっています。私たちはこの特徴を利用し、van der Waalsエネルギーが制御されたシングルナノの空間空隙内において「液体Si」の分子を不安定化させ、選択的に凝縮させる事に成功しました。この手法を用いると、シングルナノの細孔内のみに選択的にSiを製膜可能となります。本研究はSi埋め込み技術としてだけでなく、将来の量子スケールのSi素子開発に有力な技術へ繋がると期待されます。