M2の乾君が発表奨励賞を受賞

学生の乾京介さん（博士前期課程1年、環境・エネルギー領域・下田研究室）が第21回（2016年度）応用物理学会 北陸・信越支部において発表奨励賞を受賞しました。
■タイトル
感光型シルセスキオキサンを用いたTFT用ゲート絶縁膜の低温形成
■概要
二段階UV照射という方法を考案し、優れた絶縁膜として知られる熱酸化SiO２膜に相当する絶縁性を持つ膜の低温形成に成功した。さらに、その絶縁膜をTFTの絶縁膜に用いることで低リーク特性の低温酸化物TFTの作製にも成功した。この成果により高絶縁性膜の低温形成が可能となり、フレキシブルな基板への高絶縁膜の応用が可能となった。