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Posted on 2021-07-072021年7月 新メンバー加入
M1の学生さん2名が新たに研究室に加わりました。
Posted on 2014-04-03フレキシブルメモリ (flexible nonvolatile memory TFT)
プラスティック基板上へ形成したフレキシブルな強誘電体ゲート薄膜トランジスタ (FeTFT) の写真です。ゲート絶縁膜には有機強誘電体のP(VDF-TrFE)、チャネルには酸化物半導体の IGZO (InGaZnO4) を用いています。良好なトランジスタ動作と不揮発性メモリ機能を確認しています。透明で曲がる不揮発性メモリ！
Posted on 2014-04-03Measurements of Flexible Fe-TFTs
フレキシブル強誘電体ゲート薄膜トランジスタの測定の様子。
測定台は学生さんの「手作り」です。曲率を変えて測定できるようになっています。
Posted on 2014-04-03Transparent nonvolatile ferroelectric-gate TFTs
石英ガラスの上に作製した透明な強誘電体ゲート薄膜トランジスタの写真です。
トランジスタの材料は、２種類の酸化物のみで構成されています。
・ゲート電極： ITO (インジウムスズ酸化物 In2O3:Sn)
・ゲート絶縁膜： Bi3.35La0.75Ti3O12 (BLT)
・チャネル： ITO
・ソース/ドレイン電極： ITO
ゲート絶縁膜に強誘電体材料 BLT を用いているため、
トランジスタであると同時に不揮発性のメモリ素子としても動作します。
