北陸先端科学技術大学院大学 [JAIST] - 研究者総覧
現在ページ トップページ＞ 所属別一覧表＞ 研究者紹介

研究者紹介

研究室
マテリアル研究棟MS Building Ｉ　2F
TEL：+81-(0)761-51-1441
研究室ホームページ
 
 

Japanese

リポジトリ公開資料

共同研究等のお問い合わせは， 産学官連携総合推進センター

 

 

鈴木　寿一 （スズキ　トシカズ）　教授
ナノマテリアルテクノロジーセンター

■学位

東京大学学士(基礎科学科)(1987), 東京大学修士(理学)(1989), 東京大学博士(理学)(1992)

■職歴

ソニー株式会社中央研究所研究員(1992),同社フロンティアサイエンス研究所研究員(1999),同主任研究員(2000),同社セミコンダクタネットワークカンパニー主任研究員(2001),北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター(2003)

■専門分野

化合物半導体エレクトロニクス, 化合物半導体結晶成長・デバイス，高速・高周波デバイス

■研究テーマのキーワード

化合物半導体エレクトロニクス, 電子デバイス

■研究課題

・化合物半導体結晶成長
分子線エピタキシーによるIII-V族化合物半導体の格子不整結晶成長(GaAs基板上のInSb, InGaSb/InAlSb, InGaAs/InAlAsなど)と結晶欠陥制御についての研究
・化合物半導体デバイス、高速・高周波デバイス
III-V族化合物半導体(InGaSb/InAlSb, InGaAs/InAlAs, GaN/AlGaN)デバイス作製と評価、結晶欠陥が化合物半導体デバイス特性に与える影響についての研究、化合物半導体微細デバイスの高速・高周波特性についての研究
・狭ギャップ半導体異種材料融合集積(ヘテロジニアスインテグレーション)
狭ギャップ半導体材料・デバイスを格子不整成長とエピタキシャルリフトオフの組み合わせによって異種基板上に貼付集積する技術の開発

■研究業績

◇著書

  • 「2013 化合物半導体技術大全」 第2編 第1章 「化合物半導体基板と結晶成長技術」，鈴木寿一，電子ジャーナル出版，(2013).

◇発表論文

  • AlGaN-GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors with very high-k oxynitride TaOxNy gate dielectric，T. Sato, J. Okayasu, M. Takikawa, and T. Suzuki，IEEE Electron Device Letters，34，375，(2013).
  • Analysis of AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structure by using capacitance-frequency-temperature mapping，H.-A. Shih, M. Kudo, and T. Suzuki，Appl. Phys. Lett.，101，043501，(2012).
  • Electron distribution and scattering in InAs films on low-k flexible substrates，C. T. Nguyen, H.-A. Shih, M. Akabori, and T. Suzuki，Appl. Phys. Lett.，100，232103，(2012).

全件表示

◇講演発表

  • Characterization and analysis of GaN-based MIS-HFETs ――A method using capacitance-frequency-temperature mapping (Invited)，T. Suzuki, H.-A. Shih, and M. Kudo，The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)，Kobe，(2013).
  • Narrow-gap III-V semiconductor technology: lattice-mismatched growth and epitaxial lift-off for heterogeneous integration (Invited)，T. Suzuki，2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)，Sapporo，7/9-11 (2008).
  • 異種材料融合集積に向けた狭ギャップ化合物半導体技術，鈴木寿一，電気学会調査専門委員会，法政大学(東京都小金井市)，7/18 (2008).

■担当講義

ナノデバイス加工論（実習付），固体電子物性・ﾃﾞﾊﾞｲｽ特論(E)，ナノ情報通信材料論，エレクトロニクス特論

■学外活動

◇所属学会

  • 電気学会，会員，2008-
  • 電子情報通信学会，会員，2004-
  • 応用物理学会，会員，1993-

◇国際会議主催状況

  • The 44th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials，Program Committee，Sep. 2012，Kyoto
  • The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy，Program Committee，Sep. 2012，Nara
  • The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)，Program Committee，May 2013，Kobe

全件表示

◇審議会等への参画状況

  • 新エネルギー産業技術総合開発機構(NEDO)，技術委員

◇その他の国際・国内貢献等

  • 電子情報通信学会・電子デバイス研究専門委員会，専門委員 2006-
  • 電気学会・More Moore, More than Mooreにおける化合物半導体電子デバイス調査専門委員会，専門委員 2008-2009
  • 電気学会・グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス調査専門委員会，専門委員 2009-2011

全件表示
© Japan Advanced Institute of Science and Technology 2007