堀田研究室/北陸先端科学技術大学院大学/材料科学研究科/

2022. 11. 22

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半導体材料講座

マテリアルサイエンス系応用物理学領域

JAIST

薄膜材料デバイス研究会

〒923-1292
石川県能美市旭台1-1
TEL 0761-51-1561
TEL 0761-51-1149

代表：堀田　將
horita@jaist.ac.jp

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　2023年度、堀田研究室に興味あるみなさんへ!

・　紙の上に、トランジスタを作る研究をしてみないか？　
・　それを通じて常識を破る基礎研究を体験してみないか？

　自然界に豊富な紙、Si、SiO₂は、そのまま自然に戻せる環境に優しい材料。紙が劣化しない200℃以下の低温で作るということは、省資源、環境保護にも役に立つこと。

　堀田研究室の研究タイムスケジュール表を以下に示しました。
○ 研究活動のタイムスケジュール

〇興味ある人は、電子メールなどで堀田(horita@jaist.ac.jp)に連絡を下さい。

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　　　　　　　　　　　研究まとめの１枚

　　　　　　　　　　　　わかり易い研究動画

　　　　　　　　　　　　　　研究のアウトライン
　　　　　本学支援財団による広報誌「ADVANCED」での本研究の記事
　　　　　　　　　　　　　　　　(Vol.31 2017 March)

　　　　　　　　　　　　　最終目標　　
　セルロースナノペーパー上へのSi薄膜トランジスタ（TFT）の低温作製

それを実現するために
 1）レーザーによるYSZテンプレートを用いた低温多結晶シリコン薄膜の形成（レーザーアニール）
　ガラスやプラスチック基板上に堆積した非晶質（アモルファス）Si薄膜にパルスレーザーを照射するだけで、室温付近の低温で多結晶Si薄膜お形成に取り組んでいます。結晶粒の方位や大きさを均一に整えるために、Siと格子定数の近いＹＳＺという材料の多結晶層を基板とＳｉ薄膜の間にテンプレートとして入れ、高品質多結晶Si薄膜の形成に取り組んでいます。さらに、薄膜トランジスタ（TFT）を作製し、デバイスとしての性能も検討しています。
2) シリコーンオイルとオゾンガスによるシリコン酸化膜（SiO₂）の低温形成
　オゾンを含む酸素ガスを用いると、低温でSiO₂膜が高速形成できるという独自のSiO₂膜形成法を研究しています。現在、良好な電気的特性を持つSiO₂膜が低温・高速形成できる条件を探っています。

　

	● Thi Kieu Lien MAIさんが電気科学技術奨励学生賞を受賞　　本賞は、財団法人電気科学技術奨励会（旧財団法人オーム技術奨励会）が、電気科学技術関係の主要な学会（当面、電気系５学会：電気学会、電子情報通信学会、情報処理学会、映像情報メディア学会、照明学会）が主催する国内での国際会議において論文発表した大学院・学部の学生を対象に、毎年10人程度を上限に賞状と副賞を贈呈するものです。彼女の場合は、先のIDW‘13での発表が対象になりました。写真は、映像情報メディア学会事務局（東京）で行われた、上記奨励会専務理事からの表彰状贈呈式のワンショットです。 ●Thi Kieu Lien MAIさんが国際学会IDW( International Display Workshop) '13 でOutstanding Poster Paper Awardを受賞。　　本会議は、2013年12月4～6日に札幌で行われ、全講演数504件、参加者1000人以上（約5割が海外）規模で、16の発表分野があるディスプレイに関する総合国際会議です。受賞分野はFPD(Flat Panel Display) Manufacturing, Materials and Components (FMC)、発表タイトルは”Improving Crystalline Quality of Si Thin Films Solid-Phase Crystallized on Yttria-Stablized Zirconia Layers by Pulse Laser” です。　IDW'13 におけるポスター発表の様子 ●　2013年3月27（水）～30日（土）　　　春季応用物理学会に参加し、研究成果の発表　神奈川工科大学（神奈川県厚木市）　　　Ｍ２　辻埜太一　君　「シリコーンオイル酸化Si薄膜膜質へのアニールガスの加湿効果」　　　Ｍ２　望月一秀　君　「結晶化誘発層上に堆積した非晶質Si 薄膜のパルスレーザー照射　　　　　　　　　　　　　　　　による固相結晶化」　　　　　　 ●　2012年11月5（月），6日（火）　　　　2012 IEEE International Conference on Electronics Design,　Systems and 　　　　ApplicationsにてKey Noteとして堀田　発表　　"Low-Temperature Fabrication of Crystallized Si Films for Display and Solar Cell Applications" ●　2012年11月2（金）、3日（土）　　　薄膜材料デバイス研究会研究集会に参加し、研究成果の発表　　　　なら100年会館（奈良県奈良市）　　　Ｍ２　望月一秀　君　　　　「高イットリウム濃度結晶化誘発層及びSi種結晶層上非晶質Si薄膜の低温固相結晶化」 ●　2012年9月11（火）～14日（金）　　　　秋季応用物理学会に参加し、研究成果の発表、　愛媛大学（愛媛県松山市）　　　Ｍ２　Mai Lien Thi Kieui　さん"Improvement of solid phase crystallization of an Si film on a YSZ gate insulator with a bottom gate electrode"
	イベント情報

	第4回　堀田研究室OB会開催　（2012年11月16日、片山津温泉　古賀乃井
	堀田研究室OB会（全修了生50人）は第1期生阿部、川田氏（1996年3月修了）の音頭により4年に1度のオリンピックイヤーに開催されるもので、今回で4回目となります。今回は、石橋氏（2004年3月修了）が幹事となり開催されました。日々の忙しさに加え、不況の嵐にもかかわらず、3家族を含む19人の修了生などが集まり、総勢30名の参加がありました。午後7時からの宴会に始まり、午前4時までの尽きない談笑で旧交を温め合いました。次回の幹事を決め、4年後の再会を期し、解散しました。

	左：　2011年夏の研究室合宿の集合写真（松任青少年宿泊研修センター（白山市）にて）　右：　2011年秋の応用物理学会（山形市）終了後のひととき（米沢市、上杉神社前にて）

2005