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2011年度（平成23年度）新入生の皆様へ!
堀田研究室の研究指導および就職活動指導についてのガイドを作成しました。
真剣に研究室選びをされる皆様の参考になると思います。
少し長文ですが、大切な2年間をすごす研究室選びですので、是非一読ください。
研究指導についてはタイムスケジュール表を
一緒に参照してもらうと分かりやすくなっています。
○研究指導について
○研究タイムスケジュール
○就職活動指導について
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堀田研究室の主なテーマ→詳しくはこちら
１）強誘電体メモリーの作製
強誘電体であるPZT薄膜とSi基板を用いて新しい動作原理の強誘電体メモリーを提案しており、実用化に向けて、実際に集積回路を試作し、その特性向上のために改良・改善を行っています。
２）直線偏光レーザーによる結晶粒界位置を制御した低温多結晶シリコン薄膜の形成（レーザーアニール）
直線偏光パルスレーザーを、ガラス基板上に堆積した非晶質（アモルファス）Si薄膜に照射するだけで、多結晶Siの結晶粒界の位置を制御するという独自の手法に取り組んでいます。さらに、薄膜トランジスタ（TFT）を作製し、デバイスとしての性能も検討しています。
３）直線偏光レーザーによる２次元規則配列Ｓｉドットの形成-PDF
絶縁物上にａ−Ｓｉを堆積し、そこにレーザー照射するだけで、規則配列した微細Ｓｉドットを形成しています。
４）オゾンガスによるシリコン酸化膜（SiO2）の低温形成-PDF
オゾンを含む酸素ガスを用いると、低温でSiO2膜が高速形成できるという独自のSiO2膜形成法を研究しています。現在、良好な電気的特性を持つSiO2膜が低温・高速形成できる条件を探っています。
５）YSZテンプレートを用いたシリコン薄膜の低温形成-PDF
Siと格子定数の近い、低温形成可能な多結晶YSZをテンプレートとして用い、安価基板上への高品質多結晶Si薄膜の形成に取り組んでいます。 |
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2010年夏の研究室合宿の集合写真（国立能登青年の家（羽咋市）にて |
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