代表：堀田　将
horita@jaist.ac.jp

現在の研究　PDF　　

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近い過去の研究　２　

結晶材料を用いた高機能電子デバイス創成へのあくなき挑戦

　　    (1)     パルスレーザによるガラス基板上への低温結晶化Si 薄膜の作成

(2)     シリコーンオイルとオゾンガスを用いた低温（200℃以下）酸化Si膜の作製

(3)     ＹＳＺ種結晶層（テンプレート層）を用いたガラス基板上への低温結晶化Si膜の作製

(4)     TFT:薄膜トランジスタの作製

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過去の研究　１　

(1)     電荷、電界によるガラス基板上に成長するSi薄膜の（単）結晶化の促進

(2)     オゾンガスを用いた250度C以下のSi酸化 膜の作製 (Papar)

(3)     Si基板上への新しいゲート絶縁膜・YSZ((ZrO₂)_1-x(Y₂O₃)_x)薄膜のヘテロエピタキシャル成長

　　　　各研究の詳しいことは、上記各テーマ名をクイックして下さい。

　いづれも、次世代電子デバイス創成につながる研究で、実用化を目指していますが、研究者の心は忘れず、いつも、初な気持ちで研究を楽しんでいます。失敗しては、その不思議さに驚き、成功しては、自分の考えの正しさを喜び、見知らぬ自然現象の解明を楽しむ研究室です。