北陸先端科学技術大学院大学
マテリアルサイエンス

"Low-temperature-annealed Ohmic contacts to ultrathin-AlGaN/GaN heterostructures with no two-dimensional electron gas"
Applied Physics Letters 126, 232103 (2025).
https://doi.org/10.1063/5.0260035
鈴木研究室・アドバンテスト研究所・三菱電機の共同研究
#JAIST研究 #JAIST論文 鈴木研究室

瓜生和也さん (#JAIST 鈴木研/アドバンテスト研究所)
2023電気学会電子・情報・システム部門大会優秀論文発表賞受賞
「オーミック金属下半導体の特性評価法とその窒化物半導体への応用」
https://www.iee.jp/blog/epaward_2023/
#JAIST研究 鈴木研究室

"AlGaN/GaN devices with metal-semiconductor or insulator-semiconductor interfacial layers: Vacuum level step due to dipole and interface fixed charge" (Suzuki Lab.)　#JAIST研究 #JAIST論文
Journal of Applied Physics 135, 084504 (2024).
https://doi.org/10.1063/5.0186457 鈴木研究室

Yuchen Dengさん(鈴木研) 下記発表で2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices Young Researcher Awardを受賞

"Threshold voltage modulation of AlGaN/GaN devices via vacuum level step control using thin oxide interlayers"

http://iwdtf.org/awards/ 鈴木研究室

鈴木研究室：電気学会電子・情報・システム部門技術委員会奨励賞受賞
瓜生和也(鈴木研)「多端子ホール素子によるオーミック金属下半導体の特性評価法とAlGaN/GaNヘテロ構造への適用」
#JAIST研究室 鈴木研究室

54th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)に採択
"Depletion width in AlGaN/GaN heterostructures under Ohmic-metals" K. Uryu and T. Suzuki (鈴木研)
#JAIST研究 鈴木研究室

第69回応用物理学会春季学術講演会「オーミック金属下AlGaN/GaNヘテロ構造の多端子ホール測定」瓜生和也ら(鈴木研), オーミック金属下半導体の電気特性評価法を提案. #JAIST研究
関連報告
APL 119, 023505 (2021); https://doi.org/10.1063/5.0054553.
APL 120, 052104 (2022); https://doi.org/10.1063/5.0080265. 鈴木研究室

"Mechanism of low-temperature-annealed Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures: A study via formation and removal of Ta-based Ohmic-metals" (Suzuki Lab.)
Applied Physics Letters 120, 052104 (2022); https://doi.org/10.1063/5.0080265
@AIP_Publishing #JAIST論文 #JAIST研究 鈴木研究室

"Electrical characterization of AlGaN/GaN heterostructures under Ohmic metals by using multi-probe Hall devices" (Suzuki Lab.) @AIP_Publishing
Applied Physics Letters 119, 023505 (2021); https://doi.org/10.1063/5.0054553
#JAIST研究 #JAIST論文 #JAIST研究室 #北陸先端 鈴木研究室

Normally-off operations in partially-gate-recessed AlTiO/AlGaN/GaN field-effect transistors based on interface charge engineering,
Journal of Applied Physics 130, 014503 (2021); DOI: 10.1063/5.0054045 (Suzuki Lab.).　@AIP_Publishing
#JAIST研究 #JAIST論文
https://doi.org/10.1063/5.0054045 鈴木研究室